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AS29LV016BRG-100/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV016BRG-100/XT图片预览
型号: AS29LV016BRG-100/XT
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内容描述: 16兆位( 2M ×8位/ 1M ×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 40 页 / 402 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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COTS PEM
COTS
引导扇区
引导扇区闪存
奥斯汀半导体公司
AS29LV016
待机模式
当系统没有读取或写入设备,
它可以将器件置于待机模式。在这种模式下,
电流消耗被大大降低,并且输出
被置于高阻抗状态,独立的
在OE #输入。
该器件进入CMOS待机模式时,
CE #和RESET #引脚均保持在V
CC
± 0.3 V.
(注意,这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
)如果CE #和RESET #保持在V
IH
但内
V
CC
± 0.3 V时,该设备将处于待机状态,但
待机电流将更大。该设备要求
标准访问时间(t
CE
),用于当所述设备的读访问
是在这两种待机模式,它已准备好之前
读取数据。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择,
该器件消耗的有功电流,直到操作
完成。
I
CC3
CC4
代表的待机电流规格
第27页的表中直流特性如图所示。
RESET # :硬件复位引脚
在RESET #引脚提供了复位的硬件方法
该设备读取阵列的数据。当该系统的驱动器
在RESET #引脚到V
IL
用于至少一个周期t的
RP
中,
设备
立即终止
在任何操作
进步,所有的三态数据输出引脚,而忽略所有
读/写尝试为RESET#脉冲的持续时间。
该器件还复位内部状态机
读阵列数据。被中断的操作
要重新开始,一旦该设备已准备好接受
另一个命令序列,以确保数据的完整性。
电流减小为RESET#脉冲的持续时间。
当RESET #保持在V
SS
± 0.3 V时,器件消耗
CMOS待机电流(I
CC4
) 。如果RESET #保持在V
IL
不属于V
SS
± 0.3 V时,备用电流将更大。
在RESET #引脚可以连接到系统复位电路。
系统复位会也因此而复位闪存,
使系统能够读取从引导固件
闪速存储器。
如果RESET #是在编程或擦除断言
操作时, RY / BY #引脚保持一个
0
(忙),直到
内部复位操作完成,这需要一个时间
的t
准备
(在嵌入式算法) 。该系统可
因而监控RY / BY#判断是否复位
操作完成。如果RESET #是断言,当
编程或擦除操作不执行( RY / BY #引脚
is
1),
复位动作的时间内完成
t
准备
(不是在嵌入式算法) 。该系统可
读取数据T
RH
在RESET #引脚恢复到V后
IH
.Refer到
表中的交流特性29页上的RESET #
参数和图13,第30页时机
图。
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件的能量
消费。该设备将自动启用该模式
当地址保持稳定吨
+ 30纳秒。该
自动睡眠模式是独立的,CE# , WE#
和OE #控制信号。标准地址的访问时序
提供新数据时,地址被改变了。而在
睡眠模式时,输出数据被锁存并总是可用
到系统中。我
CC4
在第27页上的直流特性
代表自动睡眠模式电流规范。
AS29LV016
2.1版10/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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