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AS29LV016BRG-100/ET 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV016BRG-100/ET图片预览
型号: AS29LV016BRG-100/ET
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内容描述: 16兆位( 2M ×8位/ 1M ×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 40 页 / 402 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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COTS PEM
COTS
引导扇区
引导扇区闪存
奥斯汀半导体公司
AS29LV016
设备总线操作
本节描述的要求,并利用该装置的总线操作的,这是通过内部启动
命令寄存器。命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是
COM的构成存储的命令锁存器,以及以执行所需要的地址和数据信息
命令。该寄存器的内容作为输入,内部状态机。状态机输出
决定了设备的功能。表1列出了它们所需要的设备的总线操作中,输入和控制的水平,并
所得到的输出。以下小节介绍更详细,所有这些作业。
表1 : AS29LV016设备总线操作
DQ0-
DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
DQ8-DQ15
BYTE #
BYTE #
=V
IL
=V
IH
D
OUT
DQ8 - DQ14 =高阻,
DQ15=A-1
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
X
高-Z
高-Z
高-Z
X
手术
待机
输出禁用
RESET
部门保护
2
CE#
L
L
VCC ± 0.3V
L
X
L
OE #
L
H
X
H
X
H
WE#
H
L
X
H
X
L
RESET#
H
H
VCC ± 0.3V
H
L
V
ID
地址
1
A
IN
A
IN
X
X
X
扇区地址,
A6 = L时, A 1 = H, A 0 = L
扇区地址,
A6 = H ,A = H, A 0 = L
A
IN
部门撤消
2
临时机构撤消
L
X
H
X
L
X
V
ID
V
ID
D
IN
D
IN
X
D
IN
X
高-Z
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0 ± 0.5V ,X =无关,A
IN
=地址,D
IN
=数据输入,D
OUT
= OUT数据
注意事项:
1.地址是A19 : A0字模式( BYTE # = V
IH
) , A19 : A- 1字节模式( BYTE # = V
IL
)
2.扇区保护和扇区解除保护功能也可以通过编程设备来实现。见扇区保护/
解除保护第11页。
字/字节配置
该BYTE #引脚控制设备是否数据I / O引脚DQ15 - DQ0工作在字节或字
配置。如果BYTE #引脚设置为逻辑
1
,该装置是在Word中的配置, DQ15 - DQ0是
积极通过CE#和OE #控制。
如果BYTE #引脚设置为逻辑
0
,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O管脚DQ0-
DQ7活跃和CE#和OE #控制。数据I / O引脚DQ8 - DQ14处于三态,并
在DQ15引脚用作输入的LSB ( A- 1 )地址的功能。
AS29LV016
2.1版10/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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