COTS PEM
COTS
引导扇区
引导扇区闪存
奥斯汀半导体公司
AS29LV016
概述
该AS29LV016是16兆， 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或
1,048,576字。字级数据（ X16 ）
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）数据
出现在DQ7 - DQ0 。本设备被设计为
进行编程的系统内使用的标准
系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0
V
CC
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供70纳秒， 90 ns访问时间
和100ns的允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
生成和提供稳压电压
对于编程和擦除操作。
该AS29LV016完全是命令集
兼容
JEDEC单电源
闪存标准。
命令被写入到
采用标准的微处理器指令寄存器
写时序。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，用于控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器所需要的地址和数据
编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取从
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行
程序命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的编程
次只需要两个写周期编程
数据而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法，该算法
自动preprograms阵列（如果它不是
AS29LV016
2.1版10/08
已编程）执行擦除前
操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和验证正确
电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序
或擦除操作完成，通过观察
RY / BY ＃引脚，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）
和DQ6 （切换）
状态位。
某个程序后或
擦除周期已经完成，该装置是
准备读阵列数据或接受其它
命令。
该
扇区擦除架构
让记忆
行业要擦除和重新编程，而不
影响到其他部门的数据内容。该
从出厂时设备被完全擦除
工厂。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。该
五金
扇区保护
功能禁用这两个节目
和擦除操作中的任意组合
内存部门。这可以在系统内可以实现
或通过编程设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据，或程序数据，任何
部门未选择删除。真
背景擦除可以由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进度和复位内部状态机
读取阵列的数据。在RESET ＃引脚可
绑在系统复位电路。系统复位
将因此也复位器件，使
系统微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
该器件提供两种省电功能。
当地址已稳定为指定的
的时间内，该器件进入
自动
睡眠模式。
该系统还可以将设备
进入
待机模式。
功率消耗是
在这两种模式下大大降低。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
