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AS29F040ECA-60/IT 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040ECA-60/IT图片预览
型号: AS29F040ECA-60/IT
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内容描述: 512K ×8 FLASH制服行业5.0V FLASH MEMORY [512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 内存集成电路
文件页数/大小: 27 页 / 1428 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
掉电。命令寄存器和所有内部程序/
擦除电路都被禁止,以及设备重置。随后
写操作被忽略,直到V
CC
大于V
LKO
。该系统
必须提供合适的信号,以控制引脚,以防止
无意识当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5ns的(典型值)的OE \\ CE \\噪声脉冲,或WE \\
不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE \\ = V任何一个抑制
IL
,
CE \\ = V
IH
或WE \\ = V
IH
。要启动一个写周期, CE \\和WE \\
必须是逻辑零而OE \\是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
如果我们= \\ CE \\ = V
IL
和OE \\ = V
IH
上电时,该
设备不接受上升沿命令WE \\ 。
内部状态机自动复位到读
在上电时阵列的数据。
AS29F040
该器件还准备在完成一个后读取阵列数据
嵌入式程序或嵌入式擦除算法。
该器件接受后擦除挂起命令时,
设备进入擦除挂起模式。该系统可以读
使用标准的读出定时阵列数据,不同之处在于,如果它
擦除悬浮部门内读取的地址,该设备
输出状态数据。完成编程后
在擦除操作挂起模式时,系统可能会一次
再次用相同的异常读取阵列的数据。请参阅“删除
暂停/删除恢复“的详细信息。
该系统
必须
发出复位命令来重新启用
设备用于读取阵列数据是否DQ5变为高电平时,或当在
自选模式。请参阅“复位指令”一节,接下来。
又见于“为读阵列数据要求”
“设备总线操作”一节以获取更多信息。该
读操作表提供了所读取的参数,并且
读操作时序图中给出了时序图。
复位命令
写复位命令到设备重置设备
读取阵列的数据。地址位不关心这个
命令。
reset命令可以写入序列之间
在擦除命令序列擦除周期开始之前。
这将重置设备来读取阵列数据。一旦删除
开始,然而,该设备将忽略直到复位命令
操作完成。
reset命令可以写入序列之间
在编程之前的程序命令序列周期
开始。这将重置设备来读取阵列数据(也适用
在擦除编程挂起模式) 。一旦编程
开始,然而,该设备将忽略直到复位命令
操作完成。
reset命令可以写入序列之间
循环中自动选择命令序列。一旦进入
自选模式, reset命令
必须
被写回
读取阵列数据(也适用于擦除过程中自动选择
挂起) 。
命令德网络nitions
写入特定的地址和数据的命令或序列
入命令寄存器启动设备的操作。该
命令定义表定义了有效的寄存器命令
序列。写作
不正确的地址和数据值
or
将它们写在
不正确的序列
复位装置
读阵列数据。
所有地址锁存下降沿WE \\或
CE \\ ,以较迟者为准发生。所有的数据被锁存的上升
我们的优势\\或CE \\ ,先发生者为准。参阅
适当的时序图中的“ AC特性”
部分。
读阵列数据
该设备后自动设置为读取阵列数据
器件上电。没有命令需要检索的数据。
表3:自动选择代码(高压法)
描述
制造商ID
器件ID
扇区保护
验证
AS29F040
2.2版09/07
A18 - A16 A15 - A10
X
X
扇形
地址
X
X
A9
V
ID
V
ID
A8 - A7
X
X
A6
V
IL
V
IL
A5 - A2
X
X
A1
V
IL
V
IL
A0
V
IL
V
IH
识别码
在DQ7到DQ0
01h
A4h
01H (受保护)
X
V
ID
X
V
IL
X
V
IH
V
IL
00h
(无保护)
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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