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AS29F040DCG-90/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040DCG-90/XT图片预览
型号: AS29F040DCG-90/XT
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内容描述: 512K ×8 FLASH制服行业5.0V FLASH MEMORY [512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 1428 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
待机模式
当系统没有读取或写入设备,它
可将设备置于待机模式。在这种模式下,电流
消耗大大减少,并且输出被放置在
高阻抗状态,独立的OE \\输入。
该器件进入CMOS待机模式时, CE \\
引脚保持在V
CC
± 0.5V 。 (注意,这是一个更受限制
电压范围比V
IH
)。该器件进入待机TTL
当CE \\保持在V模式
IH
。设备需要的标准
访问时间(吨
CE
)它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择,
该器件消耗的有功电流,直到操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表了备用
目前的规范。
AS29F040
定义表显示剩余地址位,其
不在乎。当所有必要的位已按要求设置,
则编程设备可以读取对应
识别代码DQ7 - DQ0
访问自动选择代码在系统中,主机系统
可以发出通过命令寄存器中的自动选择命令,如
该命令定义表所示。此方法不
不需要V
ID
。请参阅“命令定义”的详细信息
使用自动选择模式。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个编程和擦除
在操作之前保护部门。
部门保护/解除保护必须落实
使用编程设备。该过程需要高
电压(V
ID
)上的地址引脚A9和控制引脚。该
出厂时的所有部门保护。因此能够
判断一个扇区是否是受保护或未受保护的。看
“自选模式”的详细信息。
输出禁止模式
当OE \\输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
自选模式
自选模式提供了制造商和设备
识别和部门保护的验证,通过
识别码输出上DQ7 - DQ0 。此模式是主要
用于编程设备,自动匹配
设备到与其相应的节目进行编程
算法。然而,在自动选择的代码也可以被访问
在系统通过命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择模式
需要V
ID
( 11.5V 〜12.5 V)在地址引脚A9 。地址引脚
A6的中,A1 ,和A0必须在将Autoselect代码下载被如示出
(高压法)表。此外,验证时
部门保护,扇区地址必须出现在
适当的最高地址位。参阅
相应的扇区地址表。命令
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
编程或擦除数据提供保护,防止
意外写操作(参见命令定义表) 。在
此外,下面的硬件数据保护措施
防止意外擦除或编程,这可能
否则将被系统杂散电平信号时引起的
V
CC
上电和掉电转换,或从系统
噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
时,设备不接受
任何写周期。这期间, V保护数据
CC
电和
表2 :扇区地址表
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
注意:
AS29F040
2.2版09/07
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 地址0FFFFh
10000H - 1FFFFH
20000H - 2FFFFh
30000H - 3FFFFH
40000H - 4FFFFh
50000H - 5FFFFh
60000H - 6FFFFh
70000h - 7FFFFH
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
所有部门都为64 KB大小。
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