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AS29F040DCG-55/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040DCG-55/883C图片预览
型号: AS29F040DCG-55/883C
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内容描述: 512K ×8 FLASH制服行业5.0V FLASH MEMORY [512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 内存集成电路
文件页数/大小: 27 页 / 1428 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
后一个擦除暂停程序操作完成后,
该系统可以再次读取数组中的数据
非悬挂扇区。该系统可确定该状态
用DQ7或DQ6状态位,就在程序操作的
如在标准的程序操作。见“写操作
状态“的详细信息。
该系统还可以写自选命令
序列时,该设备是在擦除挂起模式。该
设备允许甚至在内部地址读自动选择码
擦除扇区中,由于代码不存储在存储器
AS29F040
数组。当器件退出自选模式,设备
恢复到擦除挂起模式,并准备再
有效的操作。请参阅“自选命令序列”的更多
信息。
该系统必须写入擦除恢复命令
(地址位“不关心” )退出擦除挂起模式
并继续进行擦除操作。进一步写
恢复命令被忽略。另一个擦除挂起
命令可以写成后,该设备已恢复擦除。
表4:命令定义
命令序列
5
6
1
总线周期
第一次
第二
第三
第四
科幻FTH
第六
地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据
RA
XXX
555
555
555
555
555
555
XXX
XXX
RD
F0
AA
AA
AA
AA
AA
AA
B0
30
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
55
55
55
55
55
55
555
555
555
555
555
555
90
90
90
A0
80
80
X00
X01
SA
X02
PA
555
555
01
A4
00
01
PD
AA
AA
RESET
自选
7
制造商ID
器件ID
部门保护验证
8
节目
芯片擦除
扇区擦除
擦除挂起
删除恢复
9
10
周期
2,3,4
1
1
4
4
4
4
6
6
1
1
2AA
2AA
55
55
555
SA
10
30
图例:
X =不在乎。
要读取的RA =地址的存储单元。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PA =地址的存储单元进行编程。地址锁存器对WE \\或CE \\脉冲,以较迟者为准发生的下降沿。
PD =数据到位置PA进行编程。在上升沿锁存数据的WE \\或CE \\脉冲,先发生者为准。
SA =地址的扇区进行验证(在自动选择模式)或擦除。地址位A18 - A16唯一选择任何行业。
注意事项:
1.请参阅表1的总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.除读书数组或自动选择数据时,所有的指令总线周期是写操作。
4.地址位A18 - A11也不在乎解锁和指挥周期,除非SA或PA必需的。
5.读取阵列数据时无需解锁或命令周期。
6. Reset命令需要返回读取阵列数据时装置处于自动选择模式,或者如果DQ5变高(当设备处于
提供状态数据)。
7.自动选择命令序列的第四个周期是一个读周期。
8.数据为00h的未受保护的部门和01H为受保护的行业。请参阅“自选命令序列”的详细信息。
9.系统可以读取和编程在非擦除扇区,或进入自动选择模式,当在擦除挂起模式。擦除挂起
命令只在一个扇区擦除操作。
10.删除恢复命令仅在擦除挂起模式是有效的。
AS29F040
2.2版09/07
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
9