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AS29F010SOJ-60/Q 参数 Datasheet PDF下载

AS29F010SOJ-60/Q图片预览
型号: AS29F010SOJ-60/Q
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内容描述: 128K ×8 FLASH制服行业5.0V FLASH MEMORY [128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 26 页 / 521 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
非悬挂扇区。该系统可确定该状态
用DQ7或DQ6状态位,就在程序操作的
如在标准的程序操作。见“写操作
状态“的详细信息。
该系统还可以写自选命令
序列时,该设备是在擦除挂起模式。该
设备允许甚至在内部地址读自动选择码
擦除扇区中,由于代码不存储在存储器
数组。当器件退出自选模式,设备
AS29F010
恢复到擦除挂起模式,并准备再
有效的操作。请参阅“自选命令序列”的更多
信息。
该系统必须写入擦除恢复命令
(地址位“不关心” )退出擦除挂起模式
并继续进行擦除操作。进一步写
恢复命令被忽略。另一个擦除挂起
命令可以写成后,该设备已恢复擦除。
表4:命令定义
命令序列
4
5
6
1
总线周期
第一次
第二
第三
第四
科幻FTH
第六
地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据
RA
RD
F0
AA
AA
AA
AA
AA
AA
AA
B0
30
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
2AA
55
55
55
55
55
55
55
555
555
555
555
555
555
555
F0
90
90
90
A0
80
80
X00
X01
(SA)的
X02
PA
555
555
1
20
0
1
PD
AA
AA
RESET
RESET
周期
2,3
1
1 XXXX
制造商ID
器件ID
部门保护验证
8
自选
7
3
4
4
4
4
6
6
1
1
555
555
555
555
555
555
555
XXX
XXX
节目
芯片擦除
扇区擦除
擦除挂起
删除恢复
9
10
2AA
2AA
55
55
555
SA
10
30
图例:
X =无关
要读取的RA =地址的存储单元
从位置RA读RD =数据读取操作期间,
PA =地址的存储单元进行编程。地址,在WE \\或CE \\脉冲的下降沿锁存器,取后发生
PD =数据到位置PA进行编程。在上升沿锁存数据的WE \\或CE \\脉冲,先发生者为准
SA =地址的扇区进行验证(在自动选择模式)或擦除。地址位A16 - A14唯一选择任何行业。
注意事项:
1.请参阅表1的总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.除读书数组或自动选择数据时,所有的指令总线周期是写操作。
4.读阵列数据时无需解锁或命令周期。
5.复位命令需要返回读取阵列数据时装置处于自动选择模式,或者如果DQ5变高(当设备处于
提供状态数据)。
6.该器件接受的向后兼容性三个周期的复位命令序列。
7.自动选择命令序列的第四个周期是一个读操作。
8.数据为00h的未受保护的部门和01H为受保护的行业。请参阅“自选命令序列”的详细信息。
9.系统可以读取在非擦除扇区,或进入自动选择模式,当在擦除挂起模式。擦除挂起命令是有效的
仅在一个扇区擦除操作。
10.删除恢复命令仅在擦除挂起模式是有效的。
AS29F010
修订版2.3 12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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