AS29F010F-60/Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS29F010F-60/Q
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内容描述：	128K ×8 FLASH制服行业5.0V FLASH MEMORY [128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY]
分类和应用：	内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	26 页 / 521 K
品牌：	AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]

FL灰

奥斯汀半导体公司

待机模式

当系统没有读取或写入设备，它

可将设备置于待机模式。在这种模式下，电流

消耗大大减少，并且输出被放置在

高阻抗状态，独立的OE \\输入。

该器件进入CMOS待机模式时， CE \\

引脚保持在V

± 0.5V 。（注意，这是一个更受限制

电压范围比V

）。该器件进入待机TTL

更多的时候CE \\保持在V

。设备需要的标准

访问时间（吨

）它准备读出的数据之前。

如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，

该器件消耗的有功电流，直到操作完成。

CC3

在DC特性表代表了备用

目前的规范。

AS29F010

地址位是不在乎。当一切必要的位具有

被设置为所需的，则编程设备然后可以

读取相应的识别代码DQ7 - DQ0

访问自动选择代码在系统中，主机系统

可以发出通过命令寄存器中的自动选择命令，如

该命令定义表所示。此方法不

不需要V

。请参阅“命令定义”的详细信息

使用自动选择模式。

扇区保护/ unprotection的

硬件扇区保护功能禁用这两个

程序在任何扇区擦除操作。硬件

部门解除保护功能重新启用这两个编程和擦除

在操作之前保护部门。

部门保护/解除保护必须落实

使用编程设备。该过程需要高

电压（V

）上的地址引脚A9和控制引脚。该

出厂时的所有部门保护。因此能够

判断一个扇区是否是受保护或未受保护的。看

“自选模式”的详细信息。

输出禁止模式

当OE \\输入为V

从设备输出是

禁用。输出引脚被放置在高阻抗

状态。

自选模式

自选模式提供了制造商和设备

识别和部门保护的验证，通过

识别码输出上DQ7 - DQ0 。此模式是主要

用于编程设备，自动匹配

设备到与其相应的节目进行编程

算法。然而，在自动选择的代码也可以被访问

在系统通过命令寄存器。

当使用编程设备中，自动选择模式

需要V

在地址引脚A9 。地址引脚A6 ， A1和A0

必须在自动选择代码中所示的（高电压

法）表。此外，检验部门的保护时，

扇区地址必须出现在最合适的

地址位。参考相应的扇区地址

表。该命令定义表显示剩余

硬件数据保护

解锁周期的命令序列要求

编程或擦除数据提供保护，防止

意外写操作（参见命令定义表）。在

此外，下面的硬件数据保护措施

防止意外擦除或编程，这可能

否则将被系统杂散电平信号时引起的

上电和掉电转换，或从系统

噪声。

低V

写禁止

当V

小于V

LKO

时，设备不接受

任何写周期。这期间， V保护数据

电和

掉电。命令寄存器和所有内部程序/

表2 ：扇区地址表

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

A16

A15

A14

地址范围

00000H - 03FFFh

04000h - 07FFFh

08000H - 0BFFFh

0C000h - 地址0FFFFh

10000H - 13FFFh

14000h - 17FFFh

18000H - 1BFFFh

1C000h - 1FFFFH

注意：

所有行业都是16字节大小。

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

AS29F010

修订版2.3 12/08

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