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奥斯汀半导体公司
扇区擦除命令序列
扇区擦除是六总线周期的操作。扇区擦除
命令序列写入两个解锁周期的开始，
接着一个建立命令。两个额外的解锁写
循环再接着是由该部门的编辑部地址是
擦除，扇区擦除命令。命令
定义表显示了用于地址和数据要求
扇区擦除命令序列。
该设备不
不
要求系统进行预编程的
在擦除之前的记忆。嵌入式擦除算法
自动编程和校验部门为全零
之前的电擦除的数据模式。不需要在系统
要在这些操作提供任何控制或定时。
命令序列被写入后，扇区擦除
超时时间为50μs的开始。在超时期间，附加的
扇区地址和扇区擦除命令可被写入。
加载扇区擦除缓冲器可以以任何顺序进行，
和扇区的数量可能会从一个部门到各部门。
这些附加的周期之间的时间必须小于
为50μs ，否则最后的地址和命令可能不
接受，并删除可能开始。所以建议
处理器的中断在这段时间内，以确保所有被禁用
命令被接受。可以重新启用后的中断
最后一个扇区擦除命令写入。如果间隔时间
附加扇区擦除命令可以被认为是少
比为50μs ，该系统不需要监控DQ3 。
任何命令
在超时周期设备重置为读阵列
数据。
该系统必须重写命令序列和任何
附加扇区的地址和命令。
该系统可以监测DQ3 ，以确定该扇区
清除计时器超时。 （请参阅“ DQ3 ：扇区擦除定时器”
节）。超时开始从最后的上升沿
WE \\脉冲的命令序列。
一旦该扇区擦除操作已经开始，其他所有
命令将被忽略。
当嵌入式擦除算法完成后，
设备返回到读出阵列的数据和地址不再
锁存。该系统可确定擦除的状态
操作使用DQ7或DQ6 。请参阅“写操作
状态“有关这些状态位的信息。
图2示出的算法来执行擦除操作。
请参阅擦除/编程操作表中的“AC
特性“部分参数，并以扇区擦除
操作时序图时序波形。
AS29F010
命令序列。如果擦除挂起命令被忽略
芯片擦除操作过程中写入或嵌入式程序
算法。在写入擦除命令犯罪嫌疑人
扇区擦除超时立即终止超时时间
并挂起擦除操作。地址是“无关”
写入擦除命令犯罪嫌疑人时。
当擦除命令犯罪嫌疑人是在书面
扇区擦除操作，该设备需要最大为20μs
暂停擦除操作。然而，当擦除
犯罪嫌疑人命令在扇区擦除时间写出来，
该装置立即终止超时时间和
暂停的擦除操作。
后擦除操作已被怀疑，该系统
可以不选择任何擦除扇区读取阵列数据。
（该设备“擦除挂起”入选擦除所有部门。 ）
正常的读写时序和指令定义。
阅读在擦除暂停扇区内的任何地址
生产上DQ7 - DQ0状态数据。该系统可以使用DQ7
以确定是否一个部门积极擦除或擦除暂停。
见“写操作状态”关于这些状态信息
位。
后一个擦除暂停程序操作完成后，
该系统可以再次读取数组中的数据
图2 ：擦除操作
擦除暂停/删除恢复命令
擦除犯罪嫌疑人命令允许系统
中断的扇区擦除操作，然后从读取数据，或
程序的数据，任何部门不能选择删除。这
命令只在扇区擦除操作，
包括扇区擦除在50μs的超时时间
AS29F010
修订版0.3 10/02
注意：
1 ）请参见相应的命令定义表项目
命令序列。
了解更多信息： 2 ）请参见“扇区擦除定时器DQ3 ” 。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
