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AS29F010CW-6/IT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS29F010CW-6/IT
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内容描述: 128K ×8 FLASH制服行业5.0V FLASH MEMORY [128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 242 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
自选命令序列
自选命令序列允许主机
系统访问的制造商,设备的代码,以及
确定扇区是否是受保护的。命令
定义表所示的地址和数据要求。
此方法是一种替代,在自动选择显示
码(高压法)表中,其目的是为
PROM编程器,需要V
ID
在地址位A9 。
自动选择命令序列被写入启动
两个解锁周期,接着是自动选择命令。该
然后设备进入自动选择模式,并且系统可
读任意地址任意次数,而无需启动
另一个命令序列。
读周期地址XX00h或检索
制造商代码。读周期地址XX01h返回
设备代码。读周期包含一个扇区地址( SA )
并在返回01H地址02H ,如果该部门是受保护的,或
00H ,如果它是不受保护的。指的是扇区地址表
有效的扇区地址。
该系统必须写入复位命令退出
自动选择模式并返回到读出阵列的数据。
AS29F010
命令序列写入两个解锁周期的开始,
接着一个建立命令。两个额外的解锁写
循环再其次是芯片擦除命令,它是在
依次调用嵌入式擦除算法。该设备不
所需要的系统来擦除之前进行预编程。该
嵌入式擦除算法自动preprograms和
验证之前,对整个存储器为全零的数据图案
电擦除。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。命令
定义表显示了用于地址和数据要求
芯片擦除命令序列。
在嵌入式写入芯片的任何命令
擦除算法被忽略。
该系统可确定擦除的状态
操作使用DQ7或DQ6 。见“写操作状态”
有关这些状态位的信息。当嵌入式擦除
算法完成后,设备返回到读取阵列数据
和地址不再锁定。
图2示出的算法来执行擦除操作。
请参阅“AC擦除/编程操作表
特性“参数,芯片/扇区擦除
操作时序的时序波形。
字节编程命令序列
编程为四个总线周期操作。该计划
命令序列写入两个解锁写入启动
个循环,随后程序设置命令。该
程序地址和数据下一个被写入,这又引发
嵌入式程序算法。该系统是
需要
以提供进一步的控制或定时。该装置
自动提供内部产生编程脉冲和
验证程序性细胞余量。该命令定义
取示出的字节的地址和数据要求
程序命令序列。
当嵌入式程序算法完成时,
然后设备返回读取阵列数据和地址都没有
再锁定。该系统可确定的状态
通过使用DQ7或DQ6程序操作。见“写操作
状态“有关这些状态位的信息。
在写入设备的任何命令
嵌入式程序算法被忽略。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。
有点不能从“0 ”编程
返回到“1” 。
尝试这样做可能会停止运作,
设置DQ5为“1” ,或造成数据\\轮询算法,以指示
手术很成功。然而,随后的读操作将
表明,该数据仍然是“0”。只有擦除操作
将一个“0”到“1” 。
图1 :程序运行
芯片擦除命令序列
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除
AS29F010
修订版0.3 10/02
注意:
7
请参见相应的命令定义表的程序
命令序列。
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