FL灰
奥斯汀半导体公司
概述
该AS29F010是为1Mbit ， 5.0伏只FLASH存储器
组织为131,072字节。该AS29F010提供了32针
CDIP包。字节级的数据出现在DQ0 - DQ7 。该
设备被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不
需要编程或擦除操作。该还可以装置
进行编程或擦除在标准EPROM编程器。
此设备是使用0.32微米工艺来制造
技术。它是可用的50个接入倍， 60 ，70， 90 ，
120 ，和为150ns ，允许高速微处理器来
操作无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能（ CE \\ ） ，写使能（WE \\） ，并
输出使能（ OE \\ ）的控制。
该设备需要用于只有一个5.0伏的电源
读取和写入功能。内部生成的，
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源Flash标准。命令
使用标准微处理器写入到命令寄存器
写时序。寄存器的内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和编程电路。
写周期内部也需要锁存地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
装置是相似的，从其他闪存或EPROM读
设备。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用嵌入式程序
算法 - 内部算法，可以自动倍
编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将调用嵌入式擦除算法 - 一个
内部算法，可以自动preprograms阵列（如果它
是不是已经编程）执行擦除前
操作。在擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后通过阅读DQ7 （数据\\轮询）和
DQ6 （切换）状态位。经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据的内容
其他部门。从发货时，该设备将被删除
工厂。
硬件数据保护措施，包括低V
CC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何擦除操作
组合的存储器的扇区，并且被实现
使用标准EPROM编程器。
该系统可以将器件置于待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。该
设备同时电擦除一个扇区内的所有位
通过福勒- Nordheim隧穿。该字节编程
一次一个字节使用EPROM编程机制
热电子注入。
AS29F010
引脚配置
针
A0 - A16
DQ0 - DQ7
CE \\
OE \\
WE \\
V
CC
V
SS
NC
描述
17地址
8数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5沃尔德单电源
接地装置
无连接
逻辑符号
AS29F010
修订版0.3 10/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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