PEM
奥斯汀半导体公司
AS28F128J3M
Q- FLASH
塑封微电路
128MB， x8和x16 Q- FLASH内存
每个单元架构，甚至扇形，单位
特点
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100 ％引脚和功能兼容英特尔的MLC系列
NOR单元架构
2.7V至3.6V的VCC
2.7V至3.6V或5V VPEN （编程电压）
异步页面模式读取
制造商ID代码：
!
MT28F128J3MRG
美光
0x2Ch
工业标准引脚
完全兼容TTL输入和输出
通用闪存接口[ CFI ]
可扩展的指令集
自动写入和擦除算法
每字节有效的编程时间5.6us
128位注册保护
!
64位的唯一设备标识符
!
64位用户可编程OTP细胞
与使用VPEN = VSS增强的数据保护功能
安全OTP模块功能
每座100,000次擦写循环
自动暂停选项：
!
块擦除挂起阅读
!
块擦除挂起到计划
!
程序挂起到读
可用的工作范围：
[ -ET ] -40
o
C至+105
o
C
!
增强
!
MIL-温度[ -XT ] -55
o
C至+ 125
o
C
A
A1
引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
A6
A8
VPEN
A13
VCC
A18
A22
B
A2
VSS
A9
CE0
A14
A25
A19
CE1
C
A3
A7
A10
A12
A15
DNU
A20
A21
D
A4
A5
A11
RP \\
DNU
DNU
A16
A17
E
DQ8
DQ1
DQ9
DQ3
DQ4
DNU
DQ15
STS
F
BYTE \\
DQ0
DQ10
DQ11 DQ12
DNU
DNU
OE \\
G
A23
A0
DQ2
VCCQ
DQ5
DQ6
DQ14
WE \\
H
CE2
DNU
VCC
VSS
DQ13
VSS
DQ7
A24
64球FBGA
A22
CE1
A21
A20
A19
A18
A17
A16
VCC
A15
A14
A13
A12
CE0
VPEN
RP \\
A11
A10
A9
A8
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
WE \\
OE \\
STS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
VSS
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCCQ
VSS
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
VCC
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
A0
BYTE \\
A23
CE2
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为深入功能性产品的细节和时序图，
请参考美光公司完整的产品数据表：
MT28F640J3
牧师L年月日04年4月16日
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
概述
ASI的， AS28F128J3M增强或明康温度的变美光科技公司
Q-闪存器件系列，是一种非易失性，电性嵌段
可擦除（ FLASH ） ，制造可编程存储器
采用美光的0.15um工艺技术。
该装置
含134217728位编排要么16777218 （ X8 ）
或8,388,608字节（ X16 ） 。该装置被均匀地与扇形
128 128KB擦除块。
该器件具有在系统块的锁定。他们也有一个
通用闪存接口[ CFI ] ，允许软件算法
要用于设备的整个家庭。该软件可支持多种设备
独立， JEDEC的编号无关的前向和后向
兼容性。
AS28F128J3MRG
修订版5.0 04年11月23日
奥斯汀半导体公司保留随时更改产品或修改产品规格与适当的通知的权利
如需更多产品信息请访问了网站
www.austinsemiconductor.com
1
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
