PEM
奥斯汀半导体公司
AS28F128J3M
Q- FLASH
内存指令集操作：
命令
读阵列
读取识别码
阅读查询
读状态寄存器
清除状态寄存器
写缓冲
字/字节编程
块擦除
块擦除/编程
暂停
块擦除/编程
简历
CON组fi guration
SET BLOCK锁定位
清除块锁定位
保护计划
KEY：
[ IA ]
[ID ]
[ BA ]
[ QA ]
[帕]
[ QD ]
[ SRD ]
笔记
[1]
[2]
[3]
[4]
可伸缩或基本命令
将[ SCS或BCS ]
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS / BCS
SCS
SCS
SCS
第一总线周期
总线周期操作
地址
1
写
X
> / = 2
写
X
2
1
>2
2
2
1
1
2
2
2
2
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
X
X
X
BA
X
BA
X
X
X
X
X
X
数据
FFH
90h
98h
70h
50h
E8h
40H或10H
20h
B0h
D0h
B8h
60h
60h
C0h
写
写
写
写
X
BA
X
PA
CC
01h
D0h
PD
第二个总线周期
手术
地址
数据
读
读
读
写
写
写
IA
QA
X
BA
PA
BA
ID
QD
SRD
N
PD
D0h
笔记
1
2
3, 4, 5
6, 7
5, 6
7, 8
7
识别码的地址
从识别码读取数据
块中的地址
查询数据库地址
内存位置的地址进行编程
查询从数据库中读取数据
从状态寄存器中读取数据
[5]
[6]
[7]
[8]
按照读出识别码命令，读取操作访问制造商，设备和块锁码。
如果ISM运行，只有DQ7有效; DQ15 - DQ8和DQ6 - DQ0被放置在高Z
发出写至缓冲区命令后，检查XSR ，以确保缓冲是可写入
的字节/字的数目被写入到写入缓冲器= n + 1个，其中，n =字节/字计数的参数。数范围在此设备上
对于字节模式是n = 00H到n = 1Fh的和字模式， N = 0000H到000FH 。第三和连续的总线周期，作为由n个判定，
是用于将数据写入到写缓存器。确认命令（ D0H ）后，恰好n + 1个写周期的预期;任何其他
在命令序列中该点中止写入到缓冲区的操作。
写入到缓冲区或擦除操作不会开始，直到确认指令（ D0H ）发出
试图发出一个块擦除或编程到锁定块将失败
Etiher 40H或10H被ISM的字节/字的程序设置认可
程序SUSPEND可以写为缓冲或字/字节编程操作inititated后发出。
清除BLOCK锁定位操作同时将清除所有的块锁定位。
AS28F128J3MRG
修订版5.0 04年11月23日
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5
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
