EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
5伏，可变字节
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
MIL-PRF-38535
AS28C010
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F ） ， 32引脚CERDIP （ CW）
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE \\
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
存取速度： 120 ， 150 ，200，和250ns的
数据保存： 100年
低功耗，有源电流：50mA ，待机电流：电流降至500uA
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
数据轮询和切换
擦/写能力（10,000字节模式/ 10万页
模式）
软件数据保护算法
自动，自定时字节写
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
选项
标志
-12
-15
-20
-25
F
CW
XT
IT
883C
定时
120ns的访问
为150ns访问
200ns的访问
250ns的访问
套餐
陶瓷扁平封装
CERDIP ， 600万
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
- 全军用M类处理
*注意：
包盖被连接到地（VSS） 。
概述
奥斯汀半导体公司AS28C010是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS28C010是能够在系统
电气字节和页式可重编程。
该AS28C010实现高速接入，低功耗
消耗，并且通过采用先进的高水平的可靠性
CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个256字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS28C010特征数据
轮询和切换信号，表明擦除和编程完成
明操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。在
AS28C010
修订版1.5 5/06
除了在WE信号噪声保护和写入过程中抑制
打开和关闭电源。软件数据保护利用实施
JEDEC
可选
标准
算法。
该AS28C010是专为在最高可靠性
苛刻的应用。数据保存期限为100年，
擦除/写入耐用性是保证在最低的10万次
在页模式和10,000次的字节模式。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
