EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
读
读操作是由两个OE \\和CE \\ LOW启动。
读操作要么通过CE \\或终止OE \\回国
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在一个
高阻抗状态时，无论OE \\或CE \\高。
图1 ：状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
AS28C010
版权所有
切换位
DATA \\轮询
DATA \\轮询
该AS28C010特点DATA \\轮询的方法
表示到主机系统，该字节写或页写
周期已经完成。 DATA \\轮询功能，一个简单的测试位
操作以确定AS28C010的状态，从而消除
额外的中断输入或外部硬件。在
内部编程周期，任何企图
读取写入将产生的补体的最后一个字节
在我的数据输入/输出
7
（即，将数据写入= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。
一旦编程周期完成后， I / O
7
将重新FL ECT真
数据。注意：如果AS28C010处于保护状态和一个
非法写操作尝试DATA \\轮询不会
操作。
写
写操作开始时，两个CE \\和\\我们都
低和OE \\高。该AS28C010支持在CE \\
和WE \\控制的写周期。即，地址被锁存
由任CE \\或WE \\下降沿，最后为准。
类似地，数据是由上升沿内部锁存
无论是CE \\或WE \\ ，以先到为准。字节写
操作时，一旦启动，就会自动继续
完成后，通常在5ms内。
页写
该AS28C010的页写入功能，使整个
存储将要写入在5秒。页写允许两
256字节的数据可以连续写入
在您的内部开始的AS28C010
编程周期。主机可以读取从另一个数据
页写操作过程中系统内的设备（变
源地址），但在网页地址（A
8
至A
16
)
对于每个随后的有效的写周期的一部分，在此期间
操作必须是相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机可以
写一个附加一个在二百五十六字节
作为第一个字节被写入相同的方式。每个连续的
字节负载循环，由WE \\由高到低的转变开始，
必须在前面的下降沿为100μs内开始
WE \\ 。如果后续WE \\由高到低的转变是不是
为100μs内检测到时，内部的自动编程周期
将开始。没有页面写入窗口的限制。
有效页写窗口是无限宽的，只要
主机继续字节负载内访问设备
为100μs的周期时间。
切换位
该AS28C010还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。中
内部编程周期， I / O
6
会从高切换到
LOW和低到高的后续尝试读
装置。当内部循环完成后触发将
停止，该设备将是额外的读或访问
写操作。
写
该AS28C010为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统写周期
时间。状态位被映射到I / O总线，如图
图1 。
AS28C010
修订版1.5 5/06
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
