EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS28C010
AC FOR READ操作电气特性
(-55
o
Ç <牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
测试条件
输入脉冲电平：
输入上升和下降时间：
输出负载：
参考电平测量时间：
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(3)
t
OLZ
t
HZ(3)
t
OH
(3)
0.0V至3.0V
＆ LT ;为20ns
1 TTL门+ 100pF电容（包括范围和夹具）
1.5V, 1.5V
-12
-15
最小值最大值最小值最大值
120
120
120
50
0
0
50
50
0
0
0
0
50
50
0
150
150
150
50
0
0
50
50
0
-20
最小最大
200
200
200
50
0
0
50
50
-25
单位
最小最大
250
250
250
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE \\低到有源输出
OE \\低到有源输出
CE \\高来高Z输出
OE \\高来高Z输出
从地址变更输出保持
(3)
t
OHZ
注：3 ）T
LZ
分，叔
OLZ
分，和叔
OHZ
是周期性采样，而不是100 ％测试。吨
HZ
最大。和T
OHZ
最大。被测量，
用C
L
= 5pF的，从当CE \\或OE \\高回报（以先到为准）的点到时候
输出都不再被驱动。
AC写操作电气特性
符号参数
t
WC
写周期时间
t
AS
地址建立时间
t
AH
TCS
t
CH
t
CW
t
OES
t
OEH
t
WP
t
WPH
t
DV
t
DS
t
DH
t
DW
t
BLC
AS28C010
修订版1.5 5/06
民
0
50
0
0
100
10
10
100
100
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
s
地址保持时间
写建立时间
写保持时间
CE \\脉冲宽度
OE \\高建立时间
OE \\高保持时间
WE \\脉宽
WE \\高价回收
数据有效
数据设置
数据保持
延迟至下一个写
字节负载循环
1
50
0
10
0.20
6
100
s
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
