UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种AS27C256的输出端被连接在
平行在同一总线上，任何特定的设备中的输出
该电路可以被读取，没有从compet-干扰
系统其它设备的输出。要读取的输出
选AS27C256 ，一个低电平信号被施加到E \\和G \\ 。
电路中的所有其他设备应该有它们的输出
通过施加一个高电平信号到其中一个引脚禁用。
输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
AS27C256
FLASHRITE脉冲编程
该AS27C256 EPROM是通过使用了AMD编程
如图所示由FLASHRITE脉冲编程算法
在图1中该算法的程序的设备流程图
4秒标称时间。实际编程时间变化的
该编程器的功能使用。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。
该FLASHRITE脉冲编程算法使用初始
为100微秒（ μs）内后跟一个字节verifica-脉冲
化步骤，以确定何时寻址字节已经suc-
功地编程。每个字节最多25 100μs的脉冲
提供前一个故障是公认的。
编程模式，实现当V
PP
= 12.75V,
V
CC
= 6.25V ，G \\ = V
IH
和E \\ = V
IL
。一个以上的装置可为
编程时，器件被并联连接。某些地区可能
令可以以任何顺序进行编程。当AMD
FLASHRITE脉冲编程例程完成，所有的位
与V验证
CC
= V
PP
= 5V.
闭锁抗扰度
在AS27C256闭锁免疫力是最低为250mA
所有输入和输出。此功能提供闭锁
im-
社区之外在印刷任何潜在的瞬态
税务局局长
当EPROM接口采用行业CUIT板级
标准TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局
方法控制闭锁而不会影响性能
或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从25毫安（ AS27C256-减小
12至AS27C256-25 ）至1mA （TTL电平输入）或300μA
（ CMOS电平输入）通过施加高TTL / CMOS信号到
电子\\销。在这种模式下的所有输出处于高阻抗
状态。
禁止程序
编程可通过保持一个高水平地抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述AS27C256被曝光的擦除
通过透明盖芯片以高强度的紫外线
光（波长2537埃） 。 EPROM擦除编程前
明是必要的，以确保所有的位是在逻辑高
状态。逻辑低点被编程到所希望的位置。一
编程的逻辑低，只能被紫外光擦除。
建议的最低照射剂量（紫外线强度X EX-
曝光时间）为15W •秒/厘米
2
。一个典型的12兆瓦/厘米
2
，紫外线滤波器
灯擦除设备中的21分钟。该灯应
擦除时位于约2.5cm的片以上。 era-后
当然，所有的位都在高状态。但是应当注意的是，正常
环境光包含正确的波长擦除; there-
前，使用AS27C256时，窗口应覆盖
用不透明的标签。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 12.75V当G \\ =
V
IL
和E \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
iDEN的
tifying制造商和设备类型。这个模式被激
氧基团时， A9被迫12V ± 0.5V 。两个标识符字节
由A0 （端子10 ）进行访问;即A0 = V
IL
访问制造
商代码，这是DQ0 - DQ7输出; A0 = V
IH
访问
设备代码，这也是对DQ0 - DQ7输出。所有其他
地址必须在VIL举行。每个字节为奇校验
对位DQ7 。制造商代码对这些设备的01H
和设备代码为10h 。
AS27C256
2.0版本7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
