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AS27C256-55JXT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS27C256-55JXT
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内容描述: 256K UVEPROM紫外线可擦除可编程只读存储器 [256K UVEPROM UV Erasable Programmable Read-Only Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 13 页 / 287 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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UVEPROM
奥斯汀半导体公司
概述
该AS27C256系列是一组262,144位,紫外线光
可擦写,电可编程的只读
回忆。
这些器件采用省电的CMOS制造技
术用于高速和简单接口与MOS和连接双极
LAR电路。所有的投入(包括程序数据输入)即可
通过系列54 TTL电路,无需使用外部驱动
上拉电阻。每个输出可以驱动一个54系列TTL
电路,无需外部电阻器。数据输出为三态
用于连接多个设备连接到
常见的总线。该
AS27C256是引脚兼容的28引脚256K ROM和
EPROM中。它被提供在一个600mil的双列直插式陶瓷封装
(J后缀)和450× 550密耳陶瓷LCC ( ECA后缀)额定
经营范围从-55 ° C至125°C 。
因为这EPROM从单一5V电源供电(在
读取模式)时,它是非常适合于基于微处理器的系使用
TEMS 。一个其它电源( 12.75V ) ,需要进行编程。
所有的编程信号是TTL电平。该装置是
可编程的AMD FLASHRITE脉冲编程algo-
rithm 。该FLASHRITE脉冲编程算法使用
V
PP
12.75VV和Ⅴ的
CC
6.25V的额定节目
4秒的时间。到体系外的编程,
现有EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程,以块或随机的。
AS27C256
功能框图*
EPROM 32,768 ×8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E\
G\
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27
20
22
0
A
0
32,767
A
A
A
A
A
A
A
A
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
[ PWR DWN ]
&放大器;
EN
*这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
AS27C256
2.0版本7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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