UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种SMJ27C010As的输出是
并联连接在同一总线上的任意的输出
在电路中特定的设备可以读取与无
干扰来自其它设备的竞争输出。对
读取单个装置的输出，一个低电平信号被施加
到E \\和G \\销。电路中的所有其他器件
禁用通过施加高电平信号到其输出
其中的一个引脚。
SMJ27C010A
AS27C010A
SNAP ！脉冲编程
该SMJ27C010A通过使用SNAP编程！脉冲
如图所示的流程图编程算法
（图1） 。中的标称时间，该算法的程序
13秒。实际编程时间变化的
功能使用的程序员。
在SNAP ！脉冲编程算法使用的初始脉冲
为100微秒（ μs）内后跟一个字节的验证来
确定何时寻址的字节已经成功
编程。提供每字节多达10 100μs的脉冲
前一个故障被识别。
编程模式，实现当V
PP
= 13V,
V
CC
= 6.5V ，E \\ = V
IL
和G \\ = V
IH
。数据被呈现在
并行（ 8位）引脚DQ0通过DQ7 。一旦地址
和数据是稳定的，铂族金属\\是脉冲的低电平。
多个设备可以被编程时，器件
被并联连接。位置可以在被编程
任何顺序。当SNAP ！脉冲编程例程
完成后，所有的位与V验证
CC
= V
PP
= 5V ± 10%.
闭锁抗扰度
在SMJ27C010A闭锁免疫力是最低的
250毫安上的所有输入和输出。此功能提供闭锁
免疫之外在印刷任何潜在的瞬态
当设备被接口到电路板级
工业标准的TTL或MOS逻辑器件。输入/
输出布局方式控制闭锁无
影响性能或包装密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从30毫安减少到500μA
通过应用一个应用关于电子商务\\和100μA高TTL输入
高CMOS输入关于电子商务\\ 。在这种模式下所有的输出都在
高阻抗状态。
禁止程序
编程可通过维持较高的水平被抑制
输入在E \\或PGM \\销。
删除
在编程之前，所述SMJ27C010A EPROM的擦除
通过在透明盖露出芯片到高
强度紫外线（波长2537埃） 。该
推荐最低照射剂量（紫外线强度X
曝光时间）为15瓦
.
秒/厘米
2
。一个典型的12毫瓦/平方厘米
2
,
滤波紫外线灯擦除设备中的21分钟。灯
擦除过程中应位于约2.5cm的片以上。
擦除之后，所有的位都处于高状态。应当指出的
在正常的环境光中包含了正确的波长
擦除;因此，使用SMJ27C010A时，窗口
应覆盖不透明的标签。擦除后（全
在逻辑高电平状态）位，逻辑低点被编入
所需的位置。编程的低只能通过擦除
紫外光。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 13V时，
摹\\ = V
IL
和E \\ = V
IL
和PGM \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
识别生产商和类型。这个模式被激活
当A9 （引脚26 ）被强制为12V 。两个标识符字节
通过切换A0访问。所有其他地址必须保持
低。这些设备的签名代码97D6 。 A0低
选择的制造商代码97 （十六进制） ，和A0高
选择器件代码D6 （十六进制） ，如表2所示。
表2.签名模式
标识符*
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
DQ7
1
1
DQ6
0
1
DQ5
0
0
引脚
DQ4
DQ3
1
1
0
0
DQ2
1
1
DQ1
1
1
DQ0
1
0
（十六进制）
97
D6
* E \\ = G \\ = V
IL
， A1 - A8 = V
IL
， A9 = V
H
， A10 - A16 = V
IL
, V
PP
= V
CC
.
SMJ27C010A
AS27C010A
2.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
