奥斯汀半导体公司
操作温度范围，否则仅指
T
A
= +25°C.)
5
参数
正电源电压
10
10
AS1419
AS1419A
ADC
电源要求
（ *表示该指标适合整个
条件
符号
V
DD
V
SS
*
最小典型最大
4.75
4.75
11
1.5
250
19
100
1
150
7.5
1.2
5.25
-5.25
20
单位
V
V
mA
mA
µA
mA
mA
µA
mW
mW
mW
负电源电压
正电源电流
小睡模式： SHDN \\ = 0V ， CS \\ = 0V
睡眠模式： SHDN \\ = 0V ， CS \\ = 5V
*
小睡模式： SHDN \\ = 0V ， CS \\ = 0V
睡眠模式： SHDN \\ = 0V ， CS \\ = 5V
*
小睡模式： SHDN \\ = 0V ， CS \\ = 0V
睡眠模式： SHDN \\ = 0V ， CS \\ = 5V
I
DD
30
负电源电流
I
SS
功耗
P
DIS
240
12
时序特性
（ *表示该指标适合在
整个工作温度范围，否则仅指
T
A
= +25°C.)
5
参数
最大采样频率
转换时间
采集时间
采集+转换时间
CS \\到RD \\建立时间
CS \\
CS \\
到CONVST \\
到SHDN \\
到CONVST \\
10, 11
条件
*
*
*
*
*
9,10
符号
f
样品（MAX）
t
CONV
t
ACQ
t
ACQ + CONV
t
1
t
2
t
3
t
4
*
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
民
800
典型值
950
90
1040
最大单位
千赫
1150
300
1250
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9,10
0
40
40
400
40
20
50
20
15
40
5
15
25
35
35
50
20
30
35
50
建立时间
建立时间
*
10
9,10
SHDN \\
唤醒时间
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CONVST \\低电平时间
CONVST \\忙\\延时
数据准备好之前BUSY \\
转换之间的延迟
等待时间RD \\
10
9
C
L
=25pF
*
*
*
*
C
L
=25pF
*
C
L
=100pF
*
后BUSY \\
数据访问时间后RD \\
t
10
20
10
总线释放时间
RD \\低电平时间
CONVST \\高时间
40 （C T）
A
< 85℃
o
o
o
o
*
*
*
t
11
t
12
t
13
t
10
40
55 （C T）
A
< 125 C *
AS1419 & AS1419A
修订版1.5 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
