初步speci fi cation
奥斯汀半导体公司
oltag
沃尔克ê
比较
AS111 RAD- TOL
电气特性
直流参数：漂移值
（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。
DC ： + VCC = + 15V ， VCM = 0V 。 "Delta计算上/ SPACE设备在B组，分组进行5
only" 。
符号
VIO
参数
输入失调
电压
条件
VIN = 0V ，卢比= 50欧姆
+ VCC = 29.5V ， -Vcc = -0.5V ， VIN = 0V ，
VCM = -14.5V ，卢比= 50欧姆
+ VCC = 2V ， -Vcc = -28V ， VIN = 0V ，
VCM = + 13V ，卢比= 50欧姆
IIB +
输入偏置
当前
VIN = 0V ，卢比= 50K欧姆
+ VCC = 29.5V ， -Vcc = -0.5V ， VIN = 0V ，
VCM = -14.5V ，卢比= 50K欧姆
+ VCC = 2V ， -Vcc = -28V ， VIN = 0V ，
VCM = + 13V ，卢比= 50K欧姆
Iib-
输入偏置
当前
VIN = 0V ，卢比= 50K欧姆
+ VCC = 29.5V ， -Vcc = -0.5V ， VIN = 0V ，
VCM = -14.5V ，卢比= 50K欧姆
+ VCC = 2V ， -Vcc = -28V ， VIN = 0V ，
VCM = + 13V ，卢比= 50K欧姆
ICEX
输出漏
当前
注1 ：
注2 ：
注3 ：
记
记
记
记
记
4:
5:
6:
7:
8:
+ VCC = 18V ， -Vcc = -18V ，输出电压= 32V
笔记
PIN的
名字
民
-0.5
-0.5
-0.5
-12.5
-12.5
-12.5
-12.5
-12.5
-12.5
-5
最大
0.5
0.5
0.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
5
单位
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
SUB -
群体
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Istb = -2mA在-55 ℃。
计算参数。
使用DC带iOS和比奥（形容词） ，大道+和Ave-如在磁带名节所示
这JRETS 。
采用交流磁带和硬件。
实际分。使用限制为5mA ，由于测试设置。
数据记录读数K = V / mV的。
VID是输入端之间的电压差。
前置和后置的照射范围是相同的交流和直流列出
电气特性除中邮辐射限制表中列出。这些
部件可以是在空间环境剂量率敏感，表明增强的低
剂量率的影响。为表示参数Radiaton终点限制保证
唯一的条件如MIL-STD- 883 ，方法1019.5 ，条件A规定
AS111 RAD- TOL
1.1修订版06/05
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
