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    AS58LC1001DG-25/883C 参数 Datasheet PDF下载

    AS58LC1001DG-25/883C图片预览
    型号： AS58LC1001DG-25/883C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8 EEPROM耐辐射 [128K x 8 EEPROM Radiation Tolerant]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 21 页 / 272 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第13页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第14页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第15页浏览型号AS58LC1001DG-25/883C的Datasheet PDF文件第16页  
    EEPROM  
    AS58LC1001  
    Austin Semiconductor, Inc.  
    PAGE WRITE TIMING WAVEFORM  
    (CE\ CONTROLLED)  
    Address  
    A0 to A16  
    tAH  
    tCW  
    tAS  
    tBL  
    CE\  
    tDL  
    tBLC  
    tWS  
    tWC  
    tWH  
    WE\  
    OE\  
    tOEH  
    tOES  
    tDH  
    tDS  
    DIN  
    tDW  
    High-Z  
    tDB  
    High-Z  
    RDY/Busy\  
    tRP  
    RES\  
    VCC  
    tRES  
    In transition from HI to LOW or LOW to HI.  
    Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    AS58LC1001  
    Rev. 1.0 12/08  
    12  

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