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DP100 参数 Datasheet PDF下载

DP100图片预览
型号: DP100
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 84 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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DP100
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
-15
-12
-5
-1
625
150
-55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50μA ,我
C
=0
V
CB
= -12V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
I
C
= -400mA ,我
B
=-20mA
I
C
= -400mA ,我
B
=-20mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-50mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
-15
-12
-5
-
-
200
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
330
9
-
-
-
-0.1
-0.1
450
-
-0.3
-1.2
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
-
-
V
V
兆赫
pF
KST-9089-000
2