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    2N5401N 参数 Datasheet PDF下载

    2N5401N图片预览
    型号： 2N5401N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管 [PNP Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 252 K
    品牌： AUK [ AUK CORP ]
     浏览型号2N5401N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5401N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5401N的Datasheet PDF文件第4页  
    2N5401N
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    存储温度范围
    (Ta=25°C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    -160
    -160
    -5
    -600
    400
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    特征
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    h
    FE （3）
    V
    CE(sat)(1)
    *
    V
    CE(sat)(2)
    *
    V
    BE(sat)(1)
    *
    V
    BE(sat)(2)
    *
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    测试条件
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    V
    CB
    = -160V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-10mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-50mA
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =-1mA
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =-1mA
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-50mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-10mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    分钟。典型值。马克斯。
    -160
    -
    -
    50
    60
    50
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.7
    -
    -
    -0.2
    -0.5
    -1
    -1
    -0.9
    400
    6
    240
    -
    -100
    -100
    单位
    V
    nA
    nA
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    *
    ：脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300µs,
    占空比
    ≤2.0%
    KSD-T0C040-000
    2

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