指令集的AT93C56和AT93C66
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
SB
1
1
1
1
1
1
Op
CODE
10
00
11
01
00
00
地址
x8
A
8
- A
0
11XXXXXXX
A
8
- A
0
A
8
- A
0
10XXXXXXX
01XXXXXXX
x 16
A
7
- A
0
11XXXXXX
A
7 -
A
0
A
7
- A
0
10XXXXXX
01XXXXXX
D
7
- D
0
D
15
- D
0
D
7
- D
0
D
15
- D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，在
指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
- A
0
.
写入存储单元中的
n
- A
0
.
删除所有存储位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。有效
当V
CC
= 5.0V
±
10 ％和禁用
寄存器清零。
禁止所有编程指令。
EWDS
1
00
00XXXXXXX
00XXXXXX
功能说明
在AT93C46 / 56 /57/ 66通过一个简单而ver-访问
satile 3线串行通信接口。设备操作
化是由主机发出七个指令控制
处理器。
有效的指令开始于一个上升沿
CS的
它由一个起始位（逻辑' 1' ），接着的
相应的操作码和所需的内存地址
位置。
读（READ ） ：
在读（ READ ）指令包含
要读出的地址代码的存储位置。后
指令和地址被从解码数据
选定的存储单元提供的串行输出
引脚DO 。输出数据的变化都与利培同步
荷兰国际集团的串行时钟SK边缘。但是应当注意的是，一个
虚位（逻辑“0” ）之前的8位或16位的数据输出
字符串。
擦/写（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，
部分自动进入擦除/写禁止
（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写
使能（EWEN ）指令必须先执行之前
任何编程指令可以被执行。请
注意，一旦在擦/写使能状态，编程
明保持启用状态，直到擦除/写禁止
（ EWDS ）指令被执行或V
CC
电源被移除
从零件。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令亲
克中指定的存储单元中的所有位的逻辑
“1”状态。自定时擦除周期开始后的ERASE
指令和地址进行解码。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的READY / BUSY状态，带来了高
在被保持低至少250纳秒（T
CS
） 。逻辑
' 1'在销DO表示选定的存储器位置
已被删除，以及部分已准备好为另一个指令
化。
6
WRITE （写） ：
写（写）指令包含
的8位或16位的数据将被写入到指定的MEM-
ORY位置。自定时编程周期，T
WP
，开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚接收
DI 。 DO引脚输出部分的READY / BUSY状态
如果CS被维持在低水平最少之后变为高电平
250纳秒（T
CS
） 。逻辑' 0' DO表明编程
仍在进行中。逻辑“1”表示该存储器地址
化在指定的地址已被写入与数据
图案中包含的指令和部分准备
进一步的说明。
一个READY / BUSY状态不能
如果是CS的结束后所带来的高所得
自定时编程周期，T
WP
.
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）指令
程序存储器阵列的逻辑在每一个比特“1”状态
与主要用于测试目的。 DO引脚输出
使零件的READY / BUSY状态，如果CS被
正在保持低了至少250纳秒（T后高
CS
） 。该
ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入（ WRAL ） ：
写所有（ WRAL ）指令
程序与数据模式的所有内存位置光谱
后指定的指令。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的READY / BUSY状态后所带来的高
正在保持低了至少250纳秒（T
CS
） 。该WRAL
指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
擦/写禁止（EWDS ） ：
为了防止
数据的意外打扰，擦除/写禁止（ EWDS ）
指令禁止所有的编程模式和应
所有编程操作后执行。操作
READ指令是独立于EWEN的
和EWDS指令，并可以在任何时间被执行。
AT93C46/56/57/66
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
