进入三态模式中，销NTRI必须在之前的最后的10个时钟周期保持为低
NRST上升边缘。在正常工作时的引脚NTRI必须通过复位期间举行高
电阻高达400K欧姆。
NTRI复用I / O线P21和USART1串行数据传输线TXD1 。
标准RS232驱动程序通常包含内部400K欧姆的上拉电阻。如果TXD1所配置
连接至设备不包括这个上拉，用户必须确保高水平的绑在
NTRI而NRST断言。
7.5.2
JTAG / ICE调试
ARM标准的嵌入式在线仿真是通过JTAG / ICE端口支持。引脚
TDI，TDO ，TCK和TMS专用于这种调试功能，并可以连接到主机
计算机通过外部ICE接口。
在ICE调试模式下， ARM7TDMI内核与一个非JTAG芯片ID的响应
微控制器。这是不充分的IEEE
®
1149.1标准。
7.6
内存控制器
ARM7TDMI处理器地址空间为4G字节。存储器控制器解码
内部的32位地址总线和定义了三种地址空间：
•在四兆字节最低的内部存储器
•预留的EBI控制的外部设备（存储器或外设）中的空间
•在四兆字节的最高内部外设
在任何这些地址空间中， ARM7TDMI只能工作于小端模式。
7.6.1
内部存储器
该AT91M40800微控制器集成了8K字节内部SRAM 。所有的内部存储器
32位宽，单时钟周期访问。字节（8位） ，半字（ 16位）或字（ 32位）的
访问被支撑并在一个周期内被执行。取拇指或ARM指令
系统蒸发散的支持和内部存储器可存储两倍的为众多ARM Thumb指令
的。
SRAM被映射到地址0x0 （重映射命令后） ，使ARM7TDMI例外
0x0和0x20的间化载体通过软件来修改。该行的其余部分可以
用于堆栈分配（加快现场保护和恢复），或者作为数据和程序stor-
年龄为关键算法。
7.6.2
引导模式选择
ARM的复位向量位于地址0x0 。后NRST线被释放时， ARM7TDMI exe-
cutes存储在该地址的指令。这意味着，该地址必须被映射在
复位后的非易失性存储器。
在BMS引脚的输入电平，在过去10个时钟周期的上升沿之前
NRST选择引导存储器的类型（见
表7-1 ） 。
8
AT91M40800
1348FS–ATARM–13-Apr-06
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
