AT89S8253
5.5
双数据指针寄存器
为了便于访问内部EEPROM和外部数据存储器中， 16位的两个组
数据指针寄存器提供： DP0在SFR地址单元82H - 83H和DP1在84H
- 85H 。位DPS = 0 SFR EECON选择DP0和DPS = 1选择DP1 。用户应
访问相应的数据之前，一定要先初始化DPS位到适当的值
指针寄存器。
5.6
POWER OFF FLAG
断电标志（ POF ） ，位于bit_4 （ PCON.4 ）在PCON SFR 。塑料光纤，被设定为“1”很好地协同
荷兰国际集团电。它可以被设置和在软件控制下复位，不影响复位。
6.数据存储器 - EEPROM和RAM
该AT89S8253实现2K字节的片上EEPROM用于存储数据和256字节
内存。高128字节RAM占用一个平行空间的特殊功能寄存器。
这意味着高128字节具有相同的地址作为SFR空间，但在物理上
与SFR的空间分离。当一个指令访问上述地址的内部位置
7FH ，在指令中使用的地址模式指定的CPU是否访问上
128字节的RAM或SFR空间。使用直接寻址访问的SFR的说明
空间。例如，下面的直接寻址指令访问SFR的位置
0A0H （即P2） 。
MOV 0A0H ， #data
使用间接寻址访问高位128字节的RAM指令。例如，该
下面的间接寻址指令，其中R0内容为0A0H ，访问数据字节
地址0A0H ，而不是P2 （地址为0A0H ） 。
MOV @ R0 ， #data
请注意，堆栈操作是间接寻址的例子，因此，高128字节的数据
RAM可作为堆栈空间。
片上EEPROM数据存储器是通过将在EECON寄存器中的EEMEN位
在SFR地址单元96H 。 EEPROM的地址范围是从000H到7FFH 。 MOVX
指令用于访问EEPROM 。要访问片外数据存储器的MOVX
指令， EEMEN位需要被设置为“0” 。
在程序执行模式（使用MOVX指令），有一个自动擦除功能
在字节级别。这意味着用户可以更新或修改的单个EEPROM的字节位置
在实时的，而不会影响任何其他字节。
需要在EECON寄存器中的位EEMWE为“1”之前，在任何字节位置被设置
EEPROM的可写。用户软件应重新EEMWE位为“0” ，如果没有进一步的EEPROM
写入是必须的。在串行编程模式EEPROM写周期是自定时的典型
拿美云4毫秒。 EEPROM的写入进度可以通过读取RDY / BSY位监视
在SFR EECON （只读） 。 RDY / BSY = 0表示程序仍在进行中和，RDY / BSY
= 1意味着EEPROM写周期完成时，另一个写周期可以被发起。位
EELD在EECON控制下一个MOVX指令是否将只加载的写缓冲器
EEPROM或将真正开始编程周期。通过设置EELD ，将只出现负载。
中的32个字节的给定页的最后的MOVX之前， EELD应清除，以便在最后的
MOVX整个页面将被同时编程。通过这种方式， 32个字节将仅需要
4毫秒的编程时间，而不是在单字节编程需要128毫秒。
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3286M–MICRO–10/09
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
