程序存储器锁定位
以AT89S52具有可留给外部器件了三个锁定位
编程（ U），或可以被编程（P），以获得额外
tional特性列于下表中。
表7中。
锁定位保护模式
程序锁定位
LB1
1
2
U
P
LB2
U
U
LB3
U
U
保护类型
没有程序锁功能
MOVC指令执行
从外部程序
内存从禁用
取代码字节从
内部存储器， EA为
采样和锁存的复位，
和进一步的编程
闪存被禁用
模式2相同，但确认是
也将被禁用
一样的模式3 ，但外部
执行也将被禁用
3
4
P
P
P
P
U
P
当锁定位1被编程，在EA引脚上的逻辑电平
采样和复位过程中被锁存。如果该设备是pow-
ERED时没有复位，锁存器初始化为一个随机
值，并保持该值直到复位被激活。该
EA的锁存值必须与当前的逻辑电平
在该销，以使设备正常工作。
Flash进行编程 - 并行模式
以AT89S52是随片上闪存
阵列准备进行编程。编程接口
需要一个高电压（ 12伏）的程序使能信号和
是与传统的第三方Flash或兼容
EPROM编程器。
以AT89S52代码存储器阵列编程字节逐
字节。
编程算法：
前编程
AT89S52 ，地址，数据和控制信号应当是
根据Flash编程模式表设置和
图13和图14为编程AT89S52 ，采取跟着
降脂步骤：
1.输入该地址的存储位置
线。
2.输入数据线上相应的数据字节。
3.激活的控制信号的正确组合。
4.提高EA / V
PP
至12V 。
5.脉冲ALE / PROG一次编程的一个字节
闪存阵列或锁定位。字节写周期是
自定时的，通常需要不超过50微秒。
，重复步骤1至5更改地址
和对整个阵列或直到结束数据
对象文件为止。
数据查询：
以AT89S52功能数据查询，从而提供与
泄漏的字节写周期结束。在写周期期间，一个
未遂读取写入的最后一个字节，将导致在COM
二进制补上P0.7写入的数据的。一旦写周期
已经完成时，真正的数据是对所有的输出有效，并且
下一个周期可以开始。数据轮询可能在任何时刻开始
后一个写周期已被启动。
READY / BUSY ：
字节编程过程还可以
由RDY / BSY输出信号进行监测。 P3.0被拉
ALE后低变高的编程过程中，指示
忙。 P3.0被拉高时再编程
做了指示就绪。
程序校验：
如果锁定位LB1和LB2一直没
编程的，编程的代码数据可以被读回
通过验证的地址线和数据线。状态
个人锁定位可以直接读取验证
他们回来。
读签名字节：
签名字节
用相同的程序读取作为一个正常的验证
位置000H ， 100H ， 200H和，所不同的是P3.6和
P3.7必须拉至逻辑低。所返回的值是
如下。
（ 000H ） = 1EH表示由Atmel公司生产的
（ 100H ） = 52H表示89S52
(200H) = 06H
芯片擦除：
在并行编程模式下，一个芯片
通过使用适当的组合启动擦除操作
控制信号和由脉冲ALE / PROG低的持续时间
灰为200 ns - 500 ns的。
在串行编程模式下，芯片擦除操作
通过发出芯片擦除指令启动。在这种模式下，
芯片擦除是自定时的，大概需要500毫秒。
在芯片擦除，串行从任何地址单元读
将在数据输出返回00H 。
Flash进行编程 - 串行模式
程序存储器阵列可以使用编程
串行ISP接口，而RST被拉至V
CC
。串行
接口包括SCK ， MOSI （输入）及MISO
（输出） 。后RST被设置为高，编程启用
指令需要在其他操作之前，先执行
令可以被执行。重编程序列之前
可发生，需要一个芯片擦除操作。
该芯片擦除操作将每个成员国的内容
储器位置的代码数组FFH中。
无论是外部系统时钟引脚提供
XTAL1或晶体需要跨引脚都连接
XTAL1和XTAL2 。最大串行时钟（SCK）
16
AT89S52
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
