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AT45DB642D-TU 参数 Datasheet PDF下载

AT45DB642D-TU图片预览
型号: AT45DB642D-TU
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内容描述: 64兆位2.7伏双接口的DataFlash [64-megabit 2.7-volt Dual-interface DataFlash]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 55 页 / 1584 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码中包含
通过
有效的指令开始的CS其次是适当的8位下降沿
操作码和所需的缓冲或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时,将触发
岭大战的SCK / CLK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主内存
通过采用SI (串行输入)引脚或8位的输入端子( - I / O0- I / O7 )地址位置。所有
指令,地址和数据传送的最显著位( MSB)开始。
缓冲区寻址标准的数据闪存页面大小( 1056字节)的数据表中引用
使用的术语BFA10 - BFA0表示指定一个字节所需要的11位地址
缓冲区内处理。主内存寻址用的术语PA12引用 -
PA0和BA10 - BA0 ,其中PA12 - PA0表示指定所需的13位地址
网页地址和BA10 - BA0表示指定字节地址需要11位地址
内的页面。
对于二进制页面大小“ 2的幂” ( 1024字节)的缓冲区中被引用地址
使用常规术语BFA9数据表 - BFA0来表示的10位地址位
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用
使用的术语A22 - A0 。
6.读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取任
1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持急流Rapid8协议
模式0和模式3,请参阅本“详细位级读时序”图
数据表对每种模式的时钟周期序列的详细信息。
6.1
连续阵列读取(旧命令: E8H ):高达66 MHz的
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。从标准的数据闪存页面进行连续读取
大小( 1056字节) , E8H的操作码,必须移入器件后跟三个地址
个字节(它包括24位页和字节地址序列)和一系列不在乎
个字节(4个字节,如果使用串行接口或19个字节,如果使用8位的接口)。第13位
24位的地址序列的 - ( PA12 PA0 )指定主存储器阵列的哪一页到
看完了,最后11位 - 24位地址序列( BA10 BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。从二进制页面大小( 1024字节)进行连续读出,
操作码( E8H )必须移入器件后跟三个地址字节和一系列
(如果使用串行接口,或19个字节,如果使用8位接口4字节)不在乎字节。
第13位( A22 - A10) 24比特序列的指定主存储器的哪些页
阵列中读取数据,并在最后10位( A9 - A 0 )的24位的地址序列的指定开始
在页面内的字节地址。不在乎跟着地址字节所需的字节
初始化读操作。继不在乎字节,额外的时钟脉冲的
SCK / CLK引脚将导致数据在任的SO (串行输出)引脚和八个输出输出
放销(I / O7- I / O0 ) 。
6
AT45DB642D
3542H–DFLASH–4/08