AT45DB642D
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE （一千○五十六分之一千○二十四BYTES ）
缓冲器1 （ 1056分之1024 BYTES ）
缓冲液2 （ 1056分之1024 BYTES ）
SCK / CLK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
SER / BYTE
I / O接口
SI SO
I / O7 - I / O0
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性， AT45DB642D的存储器阵列被划分为三个等级
粒度，包括行业，块和页面。在“内存体系结构图” illus-
trates每个级别的故障，并详细说明的每个扇区和块的页数。所有
程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。在擦除操作
将在芯片，部门，块或页级执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇区0
部门1
块0
部门架构
行业0A = 8页
8192 / 8448字节
部门0B = 248页
253952 / 261888字节
页面架构
8页
第0页
第1页
块0
1座
BLOCK 2
部门2 = 256页
262,144/270,336
字节
2区
1座
部门1 = 256页
262,144 / 270,336字节
BLOCK 30
31座
BLOCK 32
BLOCK 33
第6页
第7页
第8页
第9页
行业30 = 256页
262,144 / 270,336字节
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
BLOCK 65
第14页
第15页
第16页
第17页
第18页
行业31 = 256页
262,144 / 270,336字节
BLOCK 1022
BLOCK 1023
块= 8,192 / 8,448字节
8,190页
8,190页
页= 1024 / 1056字节
5
3542K–DFLASH–04/09
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
