AT45DB321D
页边界交叉（从一个页面的结束的开始交叉时
下页） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，该设备将CON组
tinue读回的存储器中的第一页的开头。如同跨越页
边界，没有延迟，将所述阵列的的端部缠绕时将发生
开头的阵列。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作
和三态输出引脚（ SO ） 。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和
离开缓冲区的内容不变。
6.4
主存储器页读
读出的主存储器页面允许用户直接从8192页中的任何一个读数据
在主存储器中，从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容
不变。要开始从数据闪存标准页面大小（ 528字节） ，操作码读取页面
D2H必须移入器件后跟三个地址字节（其中包括
24位页和字节地址序列）和4不在乎字节。 - 第13位（ PA0 PA12 ）
该23位地址序列指定在主存储器中的页被读取，而最后10个比特
23位地址序列 - （ BA9 BA0 ）指定页面内的起始字节地址。
开始从二进制页面大小（512字节）读取一个页面，在操作码的D2H必须
移入器件后跟三个地址字节和4不在乎字节。第13位
（ A21 - A9）的22比特序列的指定要读取的页的主存储器阵列，并
最后9位（ A8 - A0 ）的22位地址序列指定的起始字节地址内
该页面。不在乎跟着地址字节发送初始化读取的字节操作
化。继不在乎字节，在SCK的结果附加脉冲数据是在输出
SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持低，
地址字节，不在乎字节，数据的读取。当一个页面中的端
到达主存储器，所述装置将继续读回时的相同的开始
页。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（SO ） 。最大SCK频率允许的主存储器页读是
通过的F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过这两个数据缓冲区和
离开缓冲区的内容不变。
6.5
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并utiliz-
荷兰国际集团的缓冲器读指令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。四
操作码， D4H或D1H对缓冲液1和D6H或D3H为缓存器2 ，可用于在缓冲器读
命令。使用每个操作码的取决于最大SCK的频率，将用于
从缓冲器中读取数据。该D4H和D6H操作码可以在任何SCK频率可达使用
用F指定的最大
CAR1
。该D1H和D3H操作码可用于较低频率
读操作最多为f指定的最大值
CAR2
.
执行从数据闪存的标准缓冲液（ 528字节）读缓冲器，操作码必须是
移入器件后跟三个地址字节由14无关位和
10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ） 。执行从二进制缓冲器读出的缓冲
（ 512字节） ，操作码必须移入器件后跟三个地址字节的COM
珍贵的15无关位和9个缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。下面的地址
字节，1不在乎字节的时钟必须在初始化读操作。 CS引脚必须
操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不在乎字节，
读取数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的
开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作
和三态输出引脚（ SO ） 。
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3597J–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
