AT45DB161D
在WP引脚可以断言在设备擦除,但保障不会被激活,直到
内部擦除周期完成。
命令
芯片擦除
1个字节
C7H
2字节
94H
BYTE 3
80H
4个字节
9AH
图7-1 。
芯片擦除
CS
SI
操作码
1个字节
每个转换
代表
8位
操作码
2字节
操作码
字节
3
操作码
4个字节
注意:
1.参考上关于芯片擦除勘误表
7.8
通过缓存主存储器页编程
此操作是缓冲区的组合,并写入缓冲区主存储器页编程
带内置擦除操作。数据首先移入缓冲区1或2的缓冲区从输入引脚( SI )
然后程序进入到主存储器中的指定页面。执行主存储器
通过缓存器为标准数据闪存页大小页程序( 528字节), 1字节的操作码,
82H缓冲区1 85H缓冲区2 ,必须首先移入器件,接着是三个
地址字节。地址字节包含2个无关位,第12位的地址,
( PA11 - PA0 ),用于选择存储在主存储器,其中的数据是要被写入的页,和10的缓冲
地址位( BFA9 - BFA0 ),用于选择在缓冲器中的第一个字节被写入。要执行
通过缓冲器用于二进制页面大小(512字节) ,操作码82H主存储器页编程
缓冲区1或85H缓冲区2 ,必须移入器件后跟三个地址字节
包括3个无关位,第12位地址( A20 - A9) ,在主指定的页面
存储器的写入,和9缓冲器地址位( BFA8 - BFA0 ) ,其选择的第一个字节中的
缓冲器被写入。毕竟地址字节移入,该部分将数据从输入
销,并将其存储在指定的数据缓冲区中。如果缓冲区的末尾为止,该装置将
绕回的缓冲区的开始。当有在CS由低到高的跳变
销,该部分将首先删除在主存储为全1所选择的页面,然后编程
存储在缓冲到该存储器的页面数据。无论是擦除和的编程
页面有内部自定时应在T的最大时间
EP
。在这段时间内,
状态寄存器中,由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。
8.扇区保护
两种保护方法,硬件和软件控制,提供了用于防止
无意的或错误的编程和擦除周期。软件控制方法依赖于
使用软件命令来启用和禁用部门保护,同时在硬件CON-
受控方法采用使用写保护( WP )引脚。哪些部门的选择
要被保护或未保护的对编程和擦除操作中被指定
非易失性扇区保护注册。扇区是否保护状态一直
启用或由软件或硬件控制的方法,可以决定禁止
通过检查状态寄存器开采。
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3500J–DFLASH–4/08