AT45DB081D
页边界交叉（从一个页面的结束的开始交叉时
下页） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，该设备将CON组
tinue读回的存储器中的第一页的开头。如同跨越页
边界，没有延迟，将所述阵列的的端部缠绕时将发生
开头的阵列。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作
和三态输出引脚（ SO ） 。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和
离开缓冲区的内容不变。
6.4
主存储器页读
读出的主存储器页面允许用户直接从4096页中的任何一个读数据
在主存储器中，从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容
不变。要开始从数据闪存标准页面大小（ 264字节） ，操作码读取页面
D2H必须移入器件后跟三个地址字节（其中包括
24位页和字节地址序列）和4不在乎字节。 - 第12位（ PA0 PA11 ）
该21位地址序列指定在主存储器中的页被读取，最后9位
该21位地址序列 - （ BA8 BA0 ）指定的页内的起始字节地址。
开始从二进制页面大小（256字节）读取一个页面，在操作码的D2H必须
移入器件后跟三个地址字节和4不在乎字节。第12位
（ A19 - A8）的20比特序列的指定要读取的页的主存储器阵列，并
最后8位（ A7 - A0 ）的20位地址序列指定的起始字节地址内
该页面。不在乎跟着地址字节发送初始化读取的字节操作
化。继不在乎字节，在SCK的结果附加脉冲数据是在输出
SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持低，
地址字节，不在乎字节，数据的读取。当在主页的结束
存储器达成，所述装置将继续读回在同一页的开头。一
低到高的转变CS引脚将终止读操作和三态输出引脚
（ SO ） 。最大SCK频率允许的主存储器页读通过定义
f
SCK
规范。主存储器页读绕过这两个数据缓冲区和叶CON组
缓冲区不变的帐篷。
6.5
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并utiliz-
荷兰国际集团的缓冲器读指令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。四
操作码， D4H或D1H对缓冲液1和D6H或D3H为缓存器2 ，可用于在缓冲器读
命令。使用每个操作码的取决于最大SCK的频率，将用于
从缓冲器中读取数据。该D4H和D6H操作码可以在任何SCK频率可达使用
用F指定的最大
CAR1
。该D1H和D3H操作码可用于较低频率
读操作最多为f指定的最大值
CAR2
.
执行从标准数据闪存缓冲器（ 264字节）读出的缓冲器，则操作码必须是
移入器件后跟三个地址字节由15无关位和
9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。执行从二进制缓冲器（256字节）读缓冲器，
操作码必须移入器件后跟三个地址字节由
16不关心位和8缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。下面的地址字节，1
不在乎字节的时钟必须在初始化读操作。 CS引脚必须保持为低电平
操作码，地址字节，不在乎字节加载，以及在读期间
数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的开头
的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（SO ） 。
7
3596I–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
