特点
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单2.7V - 3.6V电源
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急流
™
串行接口: 66 MHz最大时钟频率
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- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 8,192页( 528分之512字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 512字节)
- 块擦除( 4字节)
- 扇区擦除( 64字节)
- 芯片擦除( 32兆位)
两个SRAM数据缓冲区(五百二十八分之五百十二字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 5 μA深层关机典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
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32-megabit
2.7-volt
数据闪存
®
AT45DB321D
初步
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1.描述
该AT45DB321D是2.7伏,串行接口顺序存取闪存
非常适用于种类繁多的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据stor-的
年龄的应用程序。该AT45DB321D支持应用急流串行接口
需要非常高的速度操作。急流串行接口的SPI兼容
频率高达66 MHz的。其34603008位存储器组织为8,192
512字节或每528字节的页面。除了主存储器,所述
AT45DB321D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区
允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,
以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-
性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。
不同于与多个随机访问的传统闪存
地址线和并行接口,所述数据闪存使用急流串行接口
3597H–DFLASH–02/07