特点
•
工作电压: 3.3V , 5V宽容
•
访问时间:
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
= 17 ns的
- 15纳秒
非常低的功耗
- 活动: 610毫瓦(最大) @ 17纳秒
(1)
, 540毫瓦(最大) @ 25纳秒
- 待机: 3.3毫瓦(典型值)
宽温度范围: -55〜 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米抗辐射工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads (SI )
500密耳宽FP36包
ESD大于2000V更好
质量等级: ESCC与9301/052 , QML -Q或V带SMD 5962-05208
1. 650万千瓦(最大) @ 15纳秒
注意:
描述
该AT60142FT是组织为512K x 8位非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案,应用快速计算是强制性低
消费,如航天电子,便携式仪器,或者开始
系统。
利用六晶体管( 6T)的存储器单元的阵列,所述AT60142FT结合了
极低的待机电流(典型值= 1 mA),其中以快速的存取时间
15 ns的整个军用温度范围内。在6T单元的高稳定性提供了
出色的防噪声引起的软错误。
该AT60142FT根据的最新版本的处理方法
MIL PRF 38535或ESCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
抗辐射
512K ×8
5V容限
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142FT
牧师7726B - AERO - 4月9日
1