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5962R0622902VXC 参数 Datasheet PDF下载

5962R0622902VXC图片预览
型号: 5962R0622902VXC
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内容描述: 抗辐射16兆3.3V SRAM多芯片模块 [Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 316 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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数据保留
模式
爱特梅尔CMOS RAM的设计有电池备份的初衷。数据保持电压和支持
层电流,保证了温度。以下规则确保数据保存:
1.在数据保留片选CSX必须在保持高
V
CC
to
V
CC
-0.2V.
2.输出使能(OE )应保持高电平,以保持RAM输出高阻抗,迷你
mizing功耗。
3.在上电和断电转换CSX和OE必须保持在
V
CC
+
0.3V和70%的
V
CC
.
4. RAM就可以开始操作>吨
R
NS后
V
CC
达到最小操作电压
(3V).
图5中。
数据保持时间
VCC
CSX
数据保持特性
参数
V
CCDR
t
CDR
t
R
I
CCDR (2)
1.
2.
描述
V
CC
数据保留
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
数据保持电流
T
AVAV
=读周期时间。
所有CSX = V
CC
, V
IN
= GND / V
CC
.
2.0
0.0
t
AVAV
(1)
典型吨
A
= 25°C
最大
图6( AT68166F -20)
单位
V
ns
ns
3
4.5 ( AT68166F - 18 )
mA
8
AT68166F/G
7747A–AERO–07/07