特点
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16兆位的SRAM多芯片模块
允许32位，16位或8位访问配置
工作电压： 3.3V
+
0.3V ， 5V容限
访问时间：
- 25纳秒， 20纳秒
- 18纳秒（初步资料）
非常低的功耗
- 活动： 595毫瓦每字节（最大） @ 20纳秒
(1)
， 415mW每字节（最大）为50ns
(2)
- 待机： 15毫瓦（典型值）
军用温度范围： -55〜 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
死在爱特梅尔0.25微米抗辐射工艺制造
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
ESD大于2000V更好
质量等级：
- QML -Q或V带SMD 5962-06229
- ESCC
950密耳宽MQFP 68包
质量： 8.5克
1.对于只AT68166FT - 20 。 540mW的AT68166FT - 25 。
2.只有AT68166FT - 20 。为450mW的AT68166FT - 25 。
抗辐射
16兆3.3V
5V容限
SRAM多
芯片模块
AT68166FT
注意事项：
描述
该AT68166FT是16Mbit的SRAM封装在一个密闭的多芯片模块（ MCM）的
对于空间应用。
该AT68166FT MCM包括四个4Mbit的SRAM AT60142FT骰子。它可以是奥尔加
认列之为512Kx8的512Kx16的两排或四银行512Kx8的任何一家银行。它
结合抗辐射的能力，对80MeV.cm² / mg的闩锁阈值，多个位
心烦免疫力和总剂量公差300Krads的，具有快速的存取时间。
MCM的封装技术允许减少PCB面积的50％以
节省75 ％的重量比4的4Mbit包。
多亏了4Mbit的SRAM芯片的尺寸小， Atmel公司已经能够accommo-
到目前为止，四个骰子的组装上的便利包装的一侧
功耗。
与其它产品的兼容性使设计人员能够轻松地移植到爱特梅尔
AT68166FT内存。
该AT68166FT电源在3.3V和5V的是宽容。
该AT68166FT根据最新修订的测试方法进行处理
在MIL -PRF- 38535或ESCC 9000 。
7531H–AERO–04/09
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
