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5962-9317710VTX 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 5962-9317710VTX
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内容描述: [FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28]
分类和应用: 先进先出芯片
文件页数/大小: 20 页 / 2117 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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图2中。
复位(写(读)到可编程半满标志寄存器)
写使能( W)
写周期开始此输入的下降沿,如果满标志( FF )未设置。
数据的建立时间和保持时间必须保持在前缘的上升时间
写使能( W) 。任何数据的存储顺序RAM阵列中,无论
当前的读操作。
一旦一半的存储器被填充,并在随后的写操作的下降沿,
在半满标志( HF)将被设置为低电平,并保持在该状态,直到差
写之间指针和读指针小于可用的总的大于或等于半
存储在设备中。在半满标志( HF)然后通过的上升沿复位
读操作。
为了防止数据溢出,满标志( FF)将变低,抑制了进一步的写操作
系统蒸发散。在一个有效的读操作完成后,满标志( FF)将TRFF后高走,
允许一个有效的写操作开始。当FIFO堆栈已满时,内部写指针
与W阻挡,从而使外部的变化为W将会对全FIFO堆叠没有影响。
读使能(R )
一个读周期开始的读使能的(R)的下降沿提供的
空标志( EF )未设置。该数据被存取的第一入/先出的基础上,但不包括
任何当前的写操作。后读使能( R)为高电平时,数据输出
( Q 0 - Q8 )将返回到一个高阻抗状态,直到下一次读操作。当所有
在FIFO堆栈中的数据已经被读出时,空标志(EF)将变低,从而使
“最后的”读周期,但进一步抑制读取操作,而数据输出保持在
一个高阻抗状态。一旦一个有效的写操作已经完成,所述空
标志( EF)将为高tWEF和有效读取然后可以开始之后。当FIFO
堆栈是空的,内部的读出指针被选自R受阻,使外部变化至R
将会对空FIFO堆叠没有影响。
这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式时,此引脚连接到
接地,以表明它是第一加载(见操作模式) 。在单个器件
模式下,此引脚用作重传输入。单个器件模式由CON-启动
necting的扩张(十一)接地。
该M672061H可以设置为重发数据时,重传允许控制( RT)下
输入低脉冲。重传操作将设置内部读取点的某些地区第一
化,也不会影响写指针。读使能( R)和写使能(W )必须
在重传过程中的高境界。重发功能,旨在用于当
写操作的数目是等于或小于所述FIFO的深度,因为已发生
去年RS周期。重传功能与深度扩展模式兼容
并会影响按照的相对位置的半满标志( HF)
读写指针。
首先加载/重发
( FL / RT )
4
M672061H
4144K-AERO-04/07