特点
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工作电压: 5V
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访问时间: 30秒,45纳秒
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非常低的功耗
- 活动: 250毫瓦(典型值)
- 待机: 1 μW (典型值)
- 数据保存: 0.5 μW (典型值)
宽温度范围: -55 ° C至+ 125°C
400密耳宽套餐: FP32和SB32
TTL兼容的输入和输出
异步
单5V电源
平等周期和访问时间
选通输入:
- 没有上拉/下拉
- 电阻器是必需的
QML Q和V带SMD 5962-89598
ESCC B与规格9301/047
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弧度。宽容
128K ×8
极低的功耗
5V CMOS SRAM
M65608E
描述
该M65608E是组织为131072 ×8位的低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案,应用快速计算是强制性低
消费,如航天电子,便携式仪器,或者开始
系统。
利用六晶体管( 6T)的存储器单元的阵列,所述M65608E结合了
极低的待机电流(典型值= 0.2 μA ),具有快速存取时间
在30 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
该M65608E是根据MIL的最新版本的处理方法
STD 883 ( B级或S ) ,欧空局SCC 9000或QML 。
牧师4151I - AERO - 3月4日
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