描述
该AT28C010是一个高性能的电可擦除和可编程只读MEM-
ORY 。它的一个存储器兆位是由8位, 131,072字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件具有存取时间为120 ns的用
只需440毫瓦的功耗。当设备被选中,则CMOS待机电流
不到300
μA.
该AT28C010是一样的读或写周期中的静态RAM访问,而不需要
的外部元件。该器件包含一个128字节的页寄存器允许写入高达128的
同时字节。在写周期中,地址和1到128个字节的数据是内部
锁,从而释放地址和数据总线,用于其它操作。以下写的开始
周期,该设备将使用一个内部控制定时器自动写入锁存的数据。结束
在写入周期可以由I / O 7的数据查询来检测。一旦写周期结束时有
被检测为读一个新的访问或写可以开始。
Atmel的28C010具有附加功能,以确保高品质和可制造性。该装置
利用延长续航内部纠错和提高数据保留character-
istics 。一个可选的软件数据保护机制可以防止无意
写道。该装置还包括用于装置识别或一个额外的128字节的EEPROM的
跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
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AT28C010军事
0010D–PEEPR–7/09