特点
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16兆位的SRAM多芯片模块
允许32位，16位或8位访问配置
工作电压： 3.3V
+
0.3V
存取时间
- 为20 ns ， 18 ns的为AT68166F
- <18 NS的AT68166G （开发中的原型在2007年第四季度）
耗电量
- 活动： 620毫瓦每字节（最大） @ 18ns - 415毫瓦每字节（最大）为50ns
(1)
- 待机： 13毫瓦（典型值）
军用温度范围： -55〜 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
死在爱特梅尔0.25微米抗辐射工艺制造
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
ESD优于4000V
质量等级：
- QML -Q或V带SMD 5962-06229
- ESCC
950密耳宽MQFP 68包
质量： 8.5克
1.仅适用于AT68166F - 18 。为450mW的AT68166F - 20 。
抗辐射
16兆位
3.3V
SRAM多
芯片模块
AT68166F
AT68166G
注意：
描述
该AT68166F / G是16Mbit的SRAM封装在一个密闭的多芯片模块
（ MCM ）的空间应用。
该AT68166F / G MCM包括四个4Mbit的SRAM AT60142FT骰子。它可以是
组织为512Kx8的任何一家银行， 512Kx16的两家银行或四银行
512Kx8 。它结合抗辐射的能力，对80MeV.cm² / mg的闩锁阈值，一个
多有点不高兴免疫力和300Krads的总剂量耐受性，具有快速访问
时间。
MCM的封装技术允许减少PCB面积的50％以
节省75 ％的重量比4的4Mbit包。
多亏了4Mbit的SRAM芯片的尺寸小， Atmel公司已经能够accommo-
到目前为止，四个骰子的组装上的便利包装的一侧
功耗。
与其它产品的兼容性使设计人员能够轻松地移植到爱特梅尔
AT68166F / G的内存。
该AT68166F / G上电在3.3V 。
该AT68166F / G是根据最新修订的测试方法进行处理
在MIL -PRF- 38535或ESCC 9000 。
7747A–AERO–07/07
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
