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    5962-0520802VYC 参数 Datasheet PDF下载

    5962-0520802VYC图片预览
    型号： 5962-0520802VYC
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    内容描述： 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM [Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 347 K
    品牌： ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
     浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号5962-0520802VYC的Datasheet PDF文件第10页  
    AT60142F
    数据保持方式
    爱特梅尔CMOS RAM的设计有电池备份的初衷。数据保持电压
    而电源电流，保证了温度。以下规则确保数据
    保留：
    1.在数据保留片选CS必须在保持高
    V
    CC
    to
    V
    CC
    -0.2V.
    2.输出使能（ OE ）应保持高电平，以保持RAM输出高阻抗
    ANCE ，最大限度地降低功耗。
    3.在上电和断电转换CS和OE必须保持在
    V
    CC
    + 0.3V和70％的
    V
    CC
    .
    4. RAM就可以开始操作>吨
    R
    NS后
    V
    CC
    达到最小操作
    电压（3V） 。
    图1 。
    数据保持时间
    数据保持特性
    参数
    V
    CCDR
    描述
    V
    CC
    对于数据
    保留
    CHIP DESELECT
    到数据
    保留时间
    手术
    恢复时间
    数据保留
    当前
    T
    AVAV
    =读周期时间。
    CS = V
    CC
    , V
    IN
    = GND / V
    CC
    .
    民
    2.0
    典型吨
    A
    = 25°C
    –
    最大
    –
    单位
    V
    t
    CDR
    0.0
    –
    –
    ns
    t
    R
    I
    CCDR （2）
    1.
    2.
    t
    AVAV
    –
    (1)
    –
    0.700
    –
    1.3
    ns
    mA
    6
    4408G–AERO–04/09

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