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型号: 5962-0520801VYC
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内容描述: 抗辐射512K ×8 5V容限非常低功耗CMOS SRAM [Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器异步传输模式ATM
文件页数/大小: 13 页 / 291 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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AT60142FT
数据保持方式
爱特梅尔CMOS RAM的设计有电池备份的初衷。数据保持电压
而电源电流,保证了温度。以下规则确保数据
保留:
1.在数据保留片选CS必须在保持高
V
CC
to
V
CC
-0.2V.
2.输出使能( OE )应保持高电平,以保持RAM输出高阻抗
ANCE ,最大限度地降低功耗。
3.在上电和断电转换CS和OE必须保持在
V
CC
+ 0.3V和70%的
V
CC
.
4. RAM就可以开始操作>吨
R
NS后
V
CC
达到最小操作
电压(3V) 。
图1 。
数据保持时间
数据保持特性
参数
V
CCDR
t
CDR
t
R
I
CCDR (2)
1.
2.
描述
V
CC
数据保留
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
数据保持电流
T
AVAV
=读周期时间。
CS = V
CC
, V
IN
= GND / V
CC
.
2.0
0.0
t
AVAV
(1)
典型吨
A
= 25°C
最大
1.5( AT60142FT -15)的
单位
V
ns
ns
0.700
1.3( AT60142FT -17)
mA
6
7726A–AERO–07/07