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29C516E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 29C516E
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内容描述: 16位流经EDAC错误检测和校正单元 [16 Bit Flow Through EDAC Error Detection And Correction unit]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 96 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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29C516E
表6 :单比特错误
MD [..]
SY
(六)
[15]
34
h
[14]
2A
h
[13]
29
h
[12]
25
h
[11]
32
h
[10]
1A
h
[9]
16
h
[8]
13
h
[7]
31
h
[6]
23
h
[5]
15
h
[4]
0B
h
[3]
2C
h
[2]
1C
h
[1]
0E
h
[0]
0D
h
MC [..]
SY
(六)
[–]
––
h
[–]
––
h
[5]
20
h
[4]
10
h
[3]
08
h
[2]
04
h
[1]
02
h
[0]
01
h
7.3 。双比特错误
如果发生了两个错误,会出现2,4或6位设置
一个在该综合征字节。该综合征的价值
通过一个双位错误产生不发生的一个
通过一个单个位错误产生的校正子值。然后,
仅在非可校正的错误标志NCERR将
激活以指示存在错误,但是不能
进行校正。
例如:如果MD [4]和MC [2]是不正确的,综合征
位[ 0],[ 1 ],[2 ]和[3 ]被设置为1 ( SY = 0Fh时) , NCERR
被设置为低,并CERR保持在较高水平。
7.4 。三误码
当检测到三个误区三比特错误,一个错误
标志被设置为低警告系统。但是所产生的
综合征可有单比特错误列出的值。
该设备必须处于检测模式,以防止假
修正的发生。
例如:如果在MD [0] ,MD [14]和MC [1]被损坏,
该综合征值为“ 25H ” 。这是通过解码
29C516E EDAC作为是对MD可纠正的错误[ 12 ] 。
该CERR标志设置低和纠正将采取
放置该设备是否处于正确的模式。这将导致
更多的错误。
7.5 。 4位宽度的存储器错误
6校验位代码可以用来提供错误
检测在下面出现的最多4个错误
组: MD [ 15..12 ] , MD [ 11..8 ] , MD [ 7..4 ] , MD [ 3..0 ] ,
MC [ 5..3 ]和MC [2..0] 。该29C516E EDAC可以标记
任意数量的4位宽度的存储器芯片的错误。一
必须特别注意​​要采取的,多比特错误(3)
位于成定义的组可以提供综合征
单比特错误的字节。
例如:如果在MD [3] ,MD [2] ,MD [1]和MD [0]是在
误差,校正子码是“ 33 h”的;
8. 8位证字
该功能时,可以使用N22引脚驱动在
低的水平。
8.1 。无错误
如果在读取的数据没有错误或退房位,所有的
综合征字节是“00” 。 EDAC的标志是无效的。
没有错误: SY = 00
8.2 。单比特错误
单比特错误的内存数据的单个位错误
字读( MD [..] )导致3综合征位被置
到1 。形成的代码表示的哪个位
内存中的数据字不正确。
例如,如果MD [10]是不正确的,校正子
字节将有1位,第3和4设置为1 。该综合征
29C516E EDAC的解码器解码的信息
该综合征字节,只设置低错误标志CERR 。
在正确的模式(正确的PIN码激活) ,它反转(和
因此校正)相关位的存储器的错误
8
Rev. D的( 97年12月9日)
数据字,并提供预期的数据字的
EDAC控制器。
如果是内存检查比特错误( MC [..] )
只有综合征的一个比特被设置为1 。
在这种情况下,校正子解码器设置低的
可纠正的错误标志CERR ,但NCERR不
改变。它不能解决检查位,因为这些
位不被系统使用。