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5962R0520801VXC 参数 Datasheet PDF下载

5962R0520801VXC图片预览
型号: 5962R0520801VXC
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内容描述: 抗辐射512K ×8 5V容限非常低功耗CMOS SRAM [Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 347 K
品牌: ATMEL [ ATMEL ]
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AT60142FT  
Write Cycle  
Symbol  
Parameter  
AT60142FT-17  
AT60142FT-15  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Value  
min  
min  
min  
min  
min  
max  
min  
min  
min  
min  
TAVAW  
TAVWL  
TAVWH  
TDVWH  
TELWH  
TWLQZ  
TWLWH  
TWHAX  
TWHDX  
TWHQX  
Write cycle time  
17  
0
15  
0
Address set-up time  
Address valid to end of write  
Data set-up time  
8
8
7
7
CS low to write end  
Write low to high Z(1)  
Write pulse width  
12  
7
10  
6
8
8
Address hold from end of write  
Data hold time  
0
0
0
0
Write high to low Z(1)  
3
3
Notes: 1. Parameters guaranteed, not tested, with output loading 5 pF. (See “AC Test Loads Waveforms” on page 7.)  
Figure 3. Write Cycle 1. WE Controlled, OE High During Write  
E
Figure 4. Write Cycle 2. WE Controlled, OE Low  
E
8
7726B–AERO–04/09  
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