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    5962-8959847QTC 参数 Datasheet PDF下载

    5962-8959847QTC图片预览
    型号： 5962-8959847QTC
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    内容描述： 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM [Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 337 K
    品牌： ATMEL [ ATMEL ]
     浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第13页浏览型号5962-8959847QTC的Datasheet PDF文件第14页  
    M65608E  
    Write Cycle 3 CS1 or CS2,  
    Controlled  
    Note:  
    The internal write time of the memory is defined by the overlap of CS1 Low and CS2 HIGH and W LOW. Both signals must be  
    actived to initiate a write and either signal can terminate a write by going in actived. The data input setup and hold timing should  
    be referenced to the actived edge of the signal that terminates the write. Data out is high impedance if OE = VIH.  
    10  
    4151I–AERO–03/04  

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