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    5962-895618MTX 参数 Datasheet PDF下载

    5962-895618MTX图片预览
    型号： 5962-895618MTX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32]
    分类和应用： 静态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 12 页 / 246 K
    品牌： ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
     浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第10页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第11页浏览型号5962-895618MTX的Datasheet PDF文件第12页  
    Write Cycle 3. CS1 or CS2 Controlled.
    Note:
    The internal write time of the memory is defined by the overlap of CS1 Low and CS2
    HIGH and W LOW. Both signals must be actived to initiate a write and either signal can
    terminate a write by going in actived. The data input setup and hold timing should be ref-
    erenced to the actived edge of the signal that terminates the write. Data out is high
    impedance if OE = VIH.
    9
    M65608E
    Rev. F–20-Aug-01

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