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    5962-0622903VYC 参数 Datasheet PDF下载

    5962-0622903VYC图片预览
    型号： 5962-0622903VYC
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    内容描述： 抗辐射16兆3.3V 5V容错SRAM的多芯片模块 [Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器异步传输模式ATM
    文件页数/大小： 19 页 / 376 K
    品牌： ATMEL [ ATMEL ]
     浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第13页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第14页浏览型号5962-0622903VYC的Datasheet PDF文件第15页  
    AT68166FT  
    Figure 7. Write Cycle 1. WE Controlled, OE High During Write  
    ADDRESS  
    CSx  
    WEx  
    OE  
    I/Os  
    Figure 8. Write Cycle 2. WE Controlled, OE Low  
    ADDRESS  
    CSx  
    WEx  
    I/Os  
    Figure 9. Write Cycle 3. CS Controlled  
    ADDRESS  
    CSx  
    WEx  
    I/Os  
    The internal write time of the memory is defined by the overlap of CS Low and WE LOW. Both signals must  
    be activated to initiate a write and either signal can terminate a write by going in active mode. The data  
    input setup and hold timing should be referenced to the active edge of the signal that terminates the write.  
    Data out is high impedance if OE= VIH.  
    11  
    7531H–AERO–04/09  

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