2SK410 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK410
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [SILICON N-CHANNEL MOS FET]
分类和应用：	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 27 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

2SK410

硅N沟道MOS FET

包装样式0.500 6L FLG

描述：

该

ASI 2SK410

是硅的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

专为HF / VHF功率放大器

应用程序。

2个0：N

FU LL ř

产品特点：

•

= 17 dB典型值。在100瓦/ 28兆赫

•

Omnigold ™

金属化系统

•

常见源配置

•

符合RoHS

ð IM

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.120 / 3.05

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

M IN IM ü M

在CH ES / M M

.725/18,42

M A X IM ü米

INC他的S / M米

.150 / 3.43

.045 / 1.14

.160 / 4.06

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

.125 / 3.18

.725 / 18.42

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

最大额定值

DSS

GSS

英镑

180 V

±20 V

120瓦@ T

= 25 °C

-55 ° C至+150°C

1 = COLLECTOR

2 - 基

3&4 =辐射源

特征

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GS （ OFF ）

DSS

DS （ ON）

|γ

FS |

国际空间站

OSS

RSS

OUT

= 25 °C

NONETEST

条件

= 100毫安

= ±100 µA

= 1.0毫安

DSS

= 180 V

= 4.0 A

= 3.0 A

= 5.0 V

= -5.0 V

= 0 V

= 10 V

= 0 V

= 10 V

= 20 V

= 0.0 V

= 50. V

= - 50. V

= 80 V

-100毫安

F = 1.0 MHz的

最小典型最大

180

±20

0.5

3.8

0.9

1.25

350

220

140

3.0

1.0

6.0

单位

F = 28 MHz的

= 5 W

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

1/1

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