2SC2904
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI 2SC2904
是硅
扁平疣外延型晶体管设计
高功率放大器在HF波段。
包装样式0.500 6L FLG
C
A
2个0：N
产品特点：
•
内部输入匹配网络
•
P
G
= 11.5分贝在1000W / 30兆赫
•
Omnigold ™
金属化系统
D
FU LL ř
B
G
.725/18,42
F
E
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
22 A
50 V
20 V
4.0 V
200瓦@ T
C
= 25 °C
-55 ° C至+175 ℃，
-55 ° C至+175 ℃，
0.75 ° C / W
ð IM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
K
H
M IN IM ü M
英寸/ M M
M
L
J
I
M AXIM ü M
英寸/ M M
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.135 / 3.43
共发射极配置
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
P
O
η
C
I
C
= 20毫安
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
E
= 20毫安
V
CB
= 15 V
V
CB
= 3.0 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 12.5 V
I
C
= 1.0 A
P
IN
= 7.0 W
F = 30 MHz的
最小典型最大
50
20
4.0
5.0
5.0
10
100
55
110
60
180
单位
V
V
mA
mA
---
W
%
注： *脉冲测试， PW = 150μS 。税= 5 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
